FAIRCHILD/*童
SGH20N60RUFDTU
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
33(V)
33(V)
33(μS)
33(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
集电*—发射**大电压 VCEO: 600 V
集电*—射*饱和电压: 2.2 V
栅*/发射**大电压: /- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 32 A
栅*—射*漏泄电流: /- 100 nA
功率耗散: 195 W
*大工作温度: 150 C
封装 / 箱体: TO-*-3
封装: Tube
集电**大连续电流 Ic: 32 A
*小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
Standard Pack Qty: 30
*件号别名: SGH20N60RUFDTU_NL
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司