专营场效应管FQPF13N50 FQPF13N50C

品牌：
FAIRCHILD/*童
型号：
FQPF13N50 FQPF13N50C
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
A/宽频带放大
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
ALGaAS铝镓砷
开启电压：
33（V）
夹断电压：
33（V）
跨导：
33（μS）
*间电容：
33（pF）

发布询价信息

普通会员

企业名：结型场效应管深圳市福田区宏诚辉电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：陈义伟

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区华强三店3A132(佳和大厦)

产品分类

场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-29

制造商: Fairchild Semiconductor

产品种类: MOSFET 功率

RoHS:   详细信息

配置: Single

晶体管*性: N-Channel

电阻汲*/源* RDS（导通）: 0.43 Ohm @ 10 V

正向跨导 gFS（*大值/*小值） : 10 S

汲*/源*击穿电压: 500 V

闸/源击穿电压: /- 30 V

漏*连续电流: 12.5 A

功率耗散: 56000 mW

*大工作温度: 150 C

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220F

封装: Tube

*小工作温度: - 55 C

Standard Pack Qty: 50

*件号别名: FQPF13N50_NL

"