TOSHIBA/东芝
2SK2662
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
AM/调幅
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
2(V)
2(V)
1(μS)
2(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:赵羽
地址:上海中国 上海市虹口区 四川北路1851号1908室
∟ 结型场效应管(15)
本公司为东芝代理商,**产品均为东芝原厂,现货供应,订货价格竞争力强,该料为香港发货
部件型号 | 2SK2662 | |
*性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 500 V | |
漏电流ID | 5 A | |
漏功耗PD | 35 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 17 | |
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 1.5 Ω | |
封装 | TO-220NIS | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | N | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) |
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