TOSHIBA/东芝
2SK241
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
DIFF/差分放大
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
12（V）
21（V）
1（μS）
3（pF）
类型：经销商
电话：
联系人：赵羽
地址：上海中国 上海市虹口区 四川北路1851号1908室
∟ 结型场效应管(15)
本公司为东芝代理商，**产品均为东芝原厂，现货供应，订货价格竞争力强,该料为香港发货
| 部件型号 | 2SK2417 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 250 V | |
| 漏电流ID | 7.5 A | |
| 漏功耗PD | 30 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 20 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.5 Ω | |
| 封装 | TO-220NIS | |
| 管脚数 | 3 | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 150V<VDSS≦250V) | |
| 装配基础 | 日本, 泰国 |
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