TOSHIBA/东芝
2sk3561
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
HF/高频(射频)放大
P-DIT/塑料双列直插
1（V）
1（V）
1（μS）
1（pF）
1（dB）
类型：经销商
电话：
联系人：顾丽晴
地址：上海中国 上海市闸北区 汶水路8号8栋208室
∟ 结型场效应管(14)
| 部件型号 | 2SK3561 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 500 V | |
| 漏电流ID | 8 A | |
| 漏功耗PD | 40 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 28 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.85 Ω | |
| 封装 | TO-220SIS | |
| 管脚数 | 3 | |
| 表面安装型 | N | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) | |
| 装配基础 | Malaysia, Japan |
东芝代理原装现货供应
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