TOSHIBA/东芝
2sk3079
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
1（V）
1（V）
1（μS）
1（pF）
1（dB）
1（mA）
1（mW）
类型：经销商
电话：
联系人：顾丽晴
地址：上海中国 上海市闸北区 汶水路8号8栋208室
∟ 结型场效应管(14)
| 部件型号 | 2SK3079A | |
| *性 | N沟 | |
| 用途 | FRS/GMRS(470MHz) | |
| 漏源电压VDSS@Tc=25°C | 10 V | |
| 泄漏电流ID@Tc=25°C | 3 A | |
| 功耗PD@Tc=25°C, max | 20 W | |
| 输出功率PO(*小) | 2.24W | VDD= 4.5 V, f = 470 MHz, Pi = 0.1 W, Tc=25°C |
| 封装 | PW-X | |
| 管脚数 | 3 | |
| 产品分类 | RF功率MOSFET |
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