您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET

场效应IIXTH11P50

场效应IIXTH11P50
场效应IIXTH11P50
  • 品牌:

    IXY美国电报半导体

  • 型号:

    IXTH11P50

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 开启电压:

    0(V)

  • 夹断电压:

    0(V)

  • 低频跨导:

    0(μS)

  • *间电容:

    0(pF)

普通会员
  • 企业名:结型场效应管 陈柳洲

    类型:经销商

    电话:

    联系人:陈柳洲

    地址:广东汕头中国 广东 汕头市潮南区 陈店粤东电子城118

产品分类
商品信息 更新时间:2012-12-14

场效应IIXTH11P50 

 

本公司经营功放配对管、场效应、达林顿、可控硅、肖特基、快恢复、三端稳压

等大*率管.

更多型号咨询 或发邮件到
也可以登陆https://zhuiyuandz.cn.alibaba.com查询

 







联系方式

企业名:结型场效应管 陈柳洲

类型:经销商

电话:

联系人:陈柳洲

地址:广东汕头中国 广东 汕头市潮南区 陈店粤东电子城118

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9