M*金属半导体
N沟道
*缘栅MOSFET
增强型
属性值
企业名:深圳市福田区博大电子经营部
类型:经销商
电话:
手机:13713855989
联系人:陈镇城
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北高科德电子市场63831室
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:MegaMOS™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫欧 @ 12A, 10V
漏*至源*电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C:20A
Id 时的 Vgs(th)(*大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:210nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :4200pF @ 25V
功率 - *大:260W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247AD
包装:管件
其它名称:IRFP460IX
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友情链接: 深圳市元东发电子有限公司