W971GG8*-25

W971GG6*-25

W9751G6IB-18 华邦1G位的DDR2 SDRAM

华英半导体*一级渠道 原装正品 邵先生/

 特点：

电源：VDD，为VDDQ = 1.8V &plu*n; 0.1 V的

双倍数据速率架构：??每个时钟周期的数*输CAS延迟时间：3，4，5，6和7突发长度：4和8  发送/接收到的数据双向差分数据选通（DQS和/ DQS的）边沿对齐的读数据和写数据中心对齐DLL配合DQ和DQS时钟过渡差分时钟输入（CLK和/ CLK）数据面具（DM）写入数据对每一个积*的CLK上升沿进入的命令，被引用的数据和数据屏蔽DQS的两个边缘中科院发布/可编程的支持，使指令和数据总线效率的附加延迟读延迟=添加剂延迟加CAS延迟（R L = AL CL）片外驱动器阻*调整（OCD）和晶片上终端（ODT）为更好的信号质量自动预充电操作进行读取和写入突发自动刷新和自刷新模式预充电掉电和Active掉电写数据屏蔽写延迟=读取延迟 - 1（WL = RL - 1）接口：SSTL_18

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