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IR-功率场效应管 IRF830 IRF830N IRF830PBF NPN 500V 4.5A

材料：
GE-N-FET锗N沟道
种类：
结型(JFET)
封装形式：
直插型
集电*允许电流ICM：
4.5A
型号/规格：
IRF830 IRF840 IRF820 IRF740 IRF730 IRF640 IRF630 IRF530 IRF540
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
截止频率fT：
2
品牌/商标：
IR/国际整流器
用途：
MOS-HBM/半桥组件
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型

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普通会员

企业名：结型场效应管深圳市福田区朝鸿电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：刘朝鸿

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区中航路都会B座24M

产品分类

三极管(1)
∟ 微波三极管(1)
场效应管MOSFET(18)
∟ 结型场效应管(18)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-02-06

IRF830信息资料：

IRF830，采用TO-220AB封装方式。
晶体管*性: N沟道
电压, Vds*大: 500V
开态电阻, Rds(on): 1.4ohm
功耗: 74W
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
功率, Pd: 74W
封装类型: TO-220AB
晶体管数: 1
晶体管类型: MOSFET
温度@电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
热阻,结至外壳A: 1.7°C/W
电压Vgs @ Rds on测量: 10V
电压, Vds典型值: 500V
电流, Id连续: 5A
电流, Idm脉冲: 20A
表面安装器件: 通孔安装
阈值电压, Vgs th典型值: 4.5V
阈值电压, Vgs th*高: 4V

联系方式

企业名：结型场效应管深圳市福田区朝鸿电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：刘朝鸿

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区中航路都会B座24M

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