N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRFP4110PBF -
CER-DIP/陶瓷直插
IR/国际整流器
L/功率放大
N沟道
增强型
100V
120A
-55°C 到 +175°C
类型：
电话：
联系人：马加鹏
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲二期N1A048
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
数据列表 | IRFP4110PBF |
产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
漏源*电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏*(Id)（25° C时） | 120A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（*大值） | 4.5毫欧@ 75A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（*大值） | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9620pF @ 50V |
功率-*大值 | 370W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
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