乾野电子是中国*家研发成功并上量销售650V *结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户**具价值的功率半导体器件与服务供应商。

　　场效应管简介
　　场效应管属于电压控制元件，这一特点类似于电子管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双*型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

　　场效应管特点
　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏*电流）；
　　（2）场效应管的输入端电流*小，因此它的输入电阻很大。
　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三*管组成放大电路的电压放大系数；
　　（5）场效应管的*辐射能力强；
　　（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

　　场效应管的工作原理
　　场效应管工作原理用一句话说，就是"漏*-源*间流经沟道的ID,用以栅*与沟道间的pn结形成的反偏的栅*电压控制ID".更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏*-源*间所加VDS的电场，源*区域的某些电子被漏*拉去，即从漏*向源*有电流ID流动。从门*向漏*扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
　　在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有*缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏*-源*间的电场，实际上是两个过渡层接触漏*与门*下部附近，由于漂移电场拉去的*电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS（off），此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源*的很短部分，这更使电流不能流通。

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