乾野电子在目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术*。
场效应管的主要参数
Idss - 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型*缘栅场效应管中，栅*电压UGS=0时的漏源电流。
Up - 夹断电压。是指结型或耗尽型*缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅*电压。
Ut - 开启电压。是指增强型*缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅*电压。
gM - 跨导。是表示栅源电压UGS - 对漏*电流ID的控制能力，即漏*电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
BVDS - 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS*时，场效应管正常工作所能承受的*大漏源电压。这是一项*限参数，加在场效应管上的工作电压*须小于BVDS.
PDSM - *大耗散功率，也是一项*限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的*大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有*余量。
IDSM - *大漏源电流。是一项*限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的*大电流。场效应管的工作电流不应*过IDSM
MOSFET的介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的*性不同，可分为n-t*e与p-t*e的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
