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SK34

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源头工厂
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  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    K3435B 2SK3435B

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK945,MOS,400V,1A,5Ω 2SK3491,MOS,600V,1A,11Ω

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    3.5(V)

  • 产品类型:

    肖特基管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    SS34

  • 材料:

    硅(SI)

  • 电压,Vz:

    20V

  • 封装:

    DO-214AC

  • 工作温度范围:

    -(℃)

  • 产品类型:

    肖特基管

  • 是否进口:

  • 品牌/商标:

    MIC

  • 型号/规格:

    SK34B

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装:

    SMB

  • 工作温度范围:

    -55+150(℃)(℃)

  • 功耗:

    1

  • 产品类型:

    肖特基管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    sk34

  • 材料:

    硅(Si)

  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    2SK3483-Z-AZ-E2

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    LMP-C/阻*变换

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 备注:

    1

  • 型号/规格:

    1N582

  • 批号:

    13

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 产品类型:

    肖特基管

  • 针脚数:

    2

  • 是否*:

  • 封装:

    SMA

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    2SK3483 NEC 09+ TO-251 N场 28A 100V

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 开启电压:

    -(V)

  • 夹断电压:

    -(V)

  • 跨导:

    -(μS)

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK3475

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VHF/甚高频

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 产品品牌:

    TOSHIBA/东芝

  • 产品型号:

    SK34

  • 材料:

    其它

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    现货原装供应2SK3455B

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    D/变频换流

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    SANYO/三洋

  • 型号/规格:

    2SK2619,SOT-263,SMD/MOS,N场,500V,6A,1.25Ω

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K3473

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 朱崇亮

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 手机:

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    2SK3432,TO-220,DIP/MOS,N场,40V,83A,0.004Ω

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    SANYO/三洋

  • 型号/规格:

    2SK3486

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K3497 2SK3497

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    2SK3377 2SK3385 2SK3386 2SK3402

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    2SK3451

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 型号/规格:

    2SK3476

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    2SK3484-Z

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

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