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SK34

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源头工厂
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  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    2SK3473

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K3411

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K349/2SK349/K1122

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号:

    2SK3456

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP80NF70

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HI-REL/高*性

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 品牌:

    NEC/日本电气

  • 型号:

    2SK3455 K3455 2SK3455B

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    *肖特基势垒栅

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    2SK3404

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌:

    NEC/日本电气

  • 型号:

    2SK3572-ZK-E1/2SK3467-ZK,NEC,SOT-263,SMD/MOS,20V,80A

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌:

    AOS/美国万代

  • 型号:

    AOT428 2SK3435

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    K3435

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌:

    NEC/日本电气

  • 型号:

    K4145

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    Hitachi/日立

  • 型号/规格:

    K349,2SK349

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 应用范围:

    功率

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    2SK3435

  • 封装形式:

    金属

  • 材料:

    硅(Si)

  • 加工定制:

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK3465

  • 应用范围:

    微波

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 结构:

    平面型

  • 封装形式:

    功率型

  • 加工定制:

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K3451

  • 应用范围:

    功率

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    PNP型

  • 击穿电压VCEO:

    600(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    13(A)

  • 加工定制:

  • 产品类型:

    肖特基管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    wesemi

  • 型号/规格:

    SK34A

  • 材料:

    硅(Si)

  • 主要参数:

    3A40V

  • 用途:

    PCj电源,适配器

  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    REN*AS/瑞萨

  • 型号/规格:

    2SK3446TZ-E

  • 应用范围:

    放大

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    PNP型

  • 击穿电压VCBO:

    1(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    1(A)

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK3476

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 开启电压:

    1(V)

  • 夹断电压:

    1(V)

  • 跨导:

    1(μS)

  • 产品类型:

    肖特基管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    GW

  • 型号/规格:

    SK34

  • 材料:

    硅(Si)

  • 电压,Vz:

    40V

  • 封装:

    SMA

  • 工作温度范围:

    -50-150(℃)

  • 品牌:

    NEC/日本电气

  • 型号:

    2SK3483

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

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