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场效应管

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源头工厂
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  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    5N60-10N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    *国产

  • 型号/规格:

    1n60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌/商标:

    *

  • 型号/规格:

    60*Q150

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFP460

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    75NF75 75N75 STP75NF75

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 创柯电子有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:广东汕头
  • 电话:86 0754 84485413

  • 应用范围:

    放大

  • 品牌/商标:

    NIKOS

  • 型号/规格:

    P3056LD

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装形式:

    TO252贴片

  • 杨泽滨(个体经营)

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:广东汕头
  • 手机:18029567921

  • 应用范围:

    微波

  • 品牌/商标:

    *芯片

  • 型号/规格:

    2N1818

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装形式:

    功率型

  • 集电*耗散功率PCM:

    300

  • 集电*允许电流ICM:

    30

  • 截止频率fT:

    1

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 品牌/商标:

    HAR美国哈里斯半导体

  • 型号/规格:

    75N06

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 漏*电流:

    1(mA)

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 耗散功率:

    1(mW)

  • 型号:

    7N60

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 开启电压:

    600(V)

  • 品牌:

    ADV美国*半导体

  • 封装形式:

    贴片型

  • 型号/规格:

    IRLR7843

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    *

  • 应用范围:

    放大

  • 林泽鹏

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:广东汕头
  • 手机:

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP65N06

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    75NF75

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 用途:

    DC/直流

  • 品牌/商标:

    ST等多品牌

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    10N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    W16*60,W20NM60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    w45nb60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 品牌/商标:

    *

  • 型号/规格:

    5N3011

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IXY美国电报半导体

  • 型号/规格:

    IXTK62N25 ,62N25

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFI4019HG-17P

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

场效应管行业资讯

什么是场效应管?

  •   场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗,较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。
  • 场效应管

场效应管技术资料

  • FET知识:采用结型FET实现的放大电路经典案例

    结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例:  结型FET源极接地放大电路  电路结构:  该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

  • 场效应管原理-场效应管参数怎么看? 场效应管是做什么用的?

    场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,常用于放大、开关和调节电流。其工作原理基于半导体中的电场调制效应,主要有三种类型:金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)、绝缘栅...

  • 结型场效应管的工作原理

    为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。  u下面通过栅-源电压uc和...

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