ST/意法
5N60-10N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
GE-N-FET锗N沟道
电话:86 0754 84476602
手机:13536872506
*国产
1n60
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
GE-P-FET锗P沟道
电话:86 1369 2044093
手机:13692044093
*
60*Q150
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
电话:86 1501 8390054
手机:15018390054
IR/国际整流器
IRFP460
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:86 1369 2044093
手机:13692044093
ST/意法
75NF75 75N75 STP75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:86 0754 84485413
放大
NIKOS
P3056LD
硅(Si)
TO252贴片
手机:18029567921
微波
*芯片
2N1818
硅(Si)
功率型
300
30
1
手机:13670546826
CHIP/小型片状
IRF3205
GaAS-FET砷化镓
SW-REG/开关电源
IR/国际整流器
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:15816621184
IR/国际整流器
IRF3205
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
CHIP/小型片状
GaAS-FET砷化镓
手机:15816621184
HAR美国哈里斯半导体
75N06
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
手机:
1(mA)
GaAS-FET砷化镓
结型(JFET)
1(mW)
7N60
CER-DIP/陶瓷直插
600(V)
ADV美国*半导体
手机:
ST/意法
STP65N06
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:15013939126
CER-DIP/陶瓷直插
75NF75
GE-P-FET锗P沟道
DC/直流
ST等多品牌
P沟道
结型(JFET)
增强型
手机:13642205895
ST/意法
10N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:15815004462
ST/意法
W16*60,W20NM60
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15989735439
ST/意法
w45nb60
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
P-DIT/塑料双列直插
M*金属半导体
手机:15817932205
*
5N3011
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:
IXY美国电报半导体
IXTK62N25 ,62N25
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15815226965
IR/国际整流器
IRFI4019HG-17P
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ...
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,适用于2kW至10kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关...
2015年5月20日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
irf4905价格分析:irf4905产品近一段时间销量较稳定,网上搜索、报价较多,零售价在4.00元,量大价优。irf4905基本参数:封装:TO220品牌:IR闸电荷(Qg)@Vgs:180nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss):3400
场效应管在使用时除了注意不要使主要参数超过允许值外,对于绝缘栅型场效应管还应特别注意由于感应电压过高而造成的击穿问题。一般在使用时应注意以下几点:(1)场效应管在使用时要注意不同类型的栅源漏各极电压的极性。保证电压和电流不超过允许值。(2)为了
有直流参数,包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻;交流参数,即低频跨导;极限参数,包括反向击穿电压和最大漏极功耗。 1.开启电压Ur Ur是增强型MOS管的主要参数,当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时,场效应管不能导通。如3C03型P沟道...
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...