ST/意法
5N60-10N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
GE-N-FET锗N沟道
电话:86 0754 84476602
手机:13536872506
*国产
1n60
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
GE-P-FET锗P沟道
电话:86 1369 2044093
手机:13692044093
*
60*Q150
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
电话:86 1501 8390054
手机:15018390054
IR/国际整流器
IRFP460
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:86 1369 2044093
手机:13692044093
ST/意法
75NF75 75N75 STP75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:86 0754 84485413
放大
NIKOS
P3056LD
硅(Si)
TO252贴片
手机:18029567921
微波
*芯片
2N1818
硅(Si)
功率型
300
30
1
手机:13670546826
CHIP/小型片状
IRF3205
GaAS-FET砷化镓
SW-REG/开关电源
IR/国际整流器
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:15816621184
IR/国际整流器
IRF3205
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
CHIP/小型片状
GaAS-FET砷化镓
手机:15816621184
HAR美国哈里斯半导体
75N06
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
手机:
1(mA)
GaAS-FET砷化镓
结型(JFET)
1(mW)
7N60
CER-DIP/陶瓷直插
600(V)
ADV美国*半导体
手机:
ST/意法
STP65N06
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:15013939126
CER-DIP/陶瓷直插
75NF75
GE-P-FET锗P沟道
DC/直流
ST等多品牌
P沟道
结型(JFET)
增强型
手机:13642205895
ST/意法
10N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:15815004462
ST/意法
W16*60,W20NM60
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15989735439
ST/意法
w45nb60
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
P-DIT/塑料双列直插
M*金属半导体
手机:15817932205
*
5N3011
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:
IXY美国电报半导体
IXTK62N25 ,62N25
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15815226965
IR/国际整流器
IRFI4019HG-17P
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,常用于放大、开关和调节电流。其工作原理基于半导体中的电场调制效应,主要有三种类型:金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)、绝缘栅...