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P场效应管

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FDN360P场效应管
FDN360P场效应管
  • 型号/规格：

    FDN360P

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD

  • 封装形式：

    塑料封装

  • *类别：

    无铅*型

D-MOS增强型P场效应管 BSP254A
D-MOS增强型P场效应管 BSP254A
  • 品牌/商标：

    PHILIPS/飞利浦

  • 型号/规格：

    BSP254A

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

P场效应管 2SJ584 LS-CD11,J584
P场效应管 2SJ584 LS-CD11,J584
  • 品牌/商标：

    Sanyo/三洋

  • 型号/规格：

    2SJ584LS-CD11 TO-220F 06NPB SANYO -4.5A -250V 1.

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

*原装*NXP场效应管MOS，PH6325L,贴片现货
*原装*NXP场效应管MOS，PH6325L,贴片现货
  • 品牌/商标：

    NXP/恩智浦

  • 型号/规格：

    PH6325L

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    AM/调幅

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

STTH8R06D/STTH8R06FP/STTH12R06D/STTH5L06FP场效应管IC
STTH8R06D/STTH8R06FP/STTH12R06D/STTH5L06FP场效应管IC
  • 品牌：

    ST/意法

  • 型号：

    STTH8R06D/STTH8R06FP

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

SIR158DP场效应管MOSFET,VISHAY系列*
SIR158DP场效应管MOSFET,VISHAY系列*
  • 品牌/商标：

    Vishay/威世通

  • 型号/规格：

    SIR158DP

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

D-MOS增强型P场效应管 BSP254A
D-MOS增强型P场效应管 BSP254A
  • 品牌/商标：

    PHILIPS/飞利浦

  • 型号/规格：

    BSP254A

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

PNP场效应管 2SJ143
PNP场效应管 2SJ143
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SJ143

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DC/直流

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

STP4NK60ZP场效应管批发/*售,大量*原装现货*销售
STP4NK60ZP场效应管批发/*售,大量*原装现货*销售
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP4NK60ZP

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

拆机IXTQ22N60P场效应管
拆机IXTQ22N60P场效应管
  • 品牌/商标：

    IXY美国电报半导体

  • 型号/规格：

    IXTQ22N60P

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    D-G双栅四*

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

STP4NK60ZP场效应管
STP4NK60ZP场效应管
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP4NK60ZP

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    M*金属半导体

STP10NK70ZFP场效应管 三*管 TO-220F塑封 **原装
STP10NK70ZFP场效应管 三*管 TO-220F塑封 **原装
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP10NK70ZFP

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    TO-220-3 整包

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

  • 林锦基

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 手机：

AP9972GP场效应管
AP9972GP场效应管
  • 型号/规格：

    AP9972GP

  • 品牌/商标：

    APEC

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

SIR462DP场效应管/MOSFET/VISHAY系列*
SIR462DP场效应管/MOSFET/VISHAY系列*
  • 品牌/商标：

    Vishay/威世通

  • 型号/规格：

    sir462dp

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DC/直流

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

批发美国整流器公司IR*原装IRGPS40B120UDP场效应管
批发美国整流器公司IR*原装IRGPS40B120UDP场效应管
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRGPS40B120UDP

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    CC/恒流

  • 封装外形：

    SP/*外形

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

直插DIP场效应管IRF630 TO-220
直插DIP场效应管IRF630 TO-220
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF630

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MW/微波

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

原装NXP场效应管BF1202WR SOT-343/R 现货热卖
原装NXP场效应管BF1202WR SOT-343/R 现货热卖
  • 品牌/商标：

    NXP/恩智浦

  • 型号/规格：

    BF1202WR

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 郑振荣

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-82562881

现货 SUD50N024-06P场效应管 MOS管
现货 SUD50N024-06P场效应管 MOS管

    品牌/商标 VISHAY 型号/规格 SUD50N024-06P 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（&...

    • 蔡明柱

    • 供应商等级： 免费会员
    • 企业类型：经销商
    • 地区:广东深圳

      • 电话：0755-83989814

    STTH8R06D/STTH8R06FP/STTH12R06D/STTH5L06FP场效应管IC
    STTH8R06D/STTH8R06FP/STTH12R06D/STTH5L06FP场效应管IC
    • 品牌：

      ST意法半导体

    • 型号：

      STTH8R06D/STTH8R06FP

    品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STTH8R06D/STTH8R06FP 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 标准（V） 夹断电压 标准...

    东芝PNP场效应管J334,2SJ334，批量价优
    东芝PNP场效应管J334,2SJ334，批量价优
    • 品牌/商标：

      TOSHIBA/东芝

    • 型号/规格：

      J334,2SJ334

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      P沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 漏*电流：

      /

    • 跨导：

      /

    • 开启电压：

      /

    P场效应管技术资料

    • 绝缘栅型场效应管的主要参数

      有直流参数，包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻；交流参数，即低频跨导；极限参数，包括反向击穿电压和最大漏极功耗。　　1.开启电压Ur　　Ur是增强型MOS管的主要参数，当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时，场效应管不能导通。如3C03型P沟道...

    • 结型场效应管的主要参数

      1.夹断电压UP　　在UDs为某一固定值下（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅—源极间所加的偏压即为夹断电压，用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V，3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。　　2.饱和漏极电流/oss　　在栅—源极...

    • FET知识：采用结型FET实现的放大电路经典案例

      结型场效应管（JFET）是一种重要的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低等特点，因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例：　　结型FET源极接地放大电路　　电路结构：　　该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

    P场效应管相关产品

    电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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