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IRFB13N50APBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
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IR
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品牌/商标 IR 型号/规格 IRF3205 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 M*金属半导体 开启电压 00(V) 夹断电压 00(V) *间电容 00(pF) 低频...
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IR美国国际整流器公司
IRFP250
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP250 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨...
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类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏*至源*电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 42A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25&a...
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IRG4RC10SDTRLP
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N沟道
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2015年1月13日,德国慕尼黑、美国加利福尼亚埃尔塞贡多(ElSegundo)讯——英飞凌科技股份有限公司(法兰克福证券交易所股票代码:IFX、美国柜台交易市场股票代码:IFNNY)今天宣布完成对美国国际整流器公司(InternationalRe
近日,英飞凌科技和美国国际整流器公司宣布,两家公司已签订一项最终协议,据此英飞凌将以每股40美元的价格收购国际整流器公司的股份,该项交易将全部以现金完成,价值约30亿美元。通过并购,两家半导体公司将强强联手,结合各自在功率管理技术上的地位。通过
Infineon-英飞凌科技股份公司欲以每股40美元的价格(约30亿美元现金)收购美国国际整流器公司股份此次收购将为其带来极具互补性和创新性的半导体产品组合,增强分销实力并提高区域市场份额。此次整合弥补了英飞凌在功率半导体技术和功率切换的系统知
8月21日,德国芯片制造商英飞凌(Infineon)周三宣布,已经同意以30亿美元现金并购美国国际整流器公司(InternationalRectifier),这也是英飞凌迄今规模的并购行动。美国国际整流器公司总部位于美国加州,主要为电脑、器械、
29日消息,据外媒报道,针对交换式电源(SMPS)、LED驱动器、萤光及HID电子整流器应用,国际整流器公司(InternationalRectifier,IR)于近日推出可减低噪音感测的IRS2500S功率因子校正(PFC)控制IC。IR亚太区销
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IR11672A SmartRectifier IC。新器件为节能AC-DC电源转换器设计,拥有先进的最小导通时间 (MOT) 保护电路,适用于笔记本型电脑、LCD和PDP电视、游戏机,以及服务器和通信开关电源 (SMPS) 。 IR11672A是一种采用IR专有200V IC技术的...
国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出新产品iP1206,为包括电信及网络设备在内的同步降压式应用提供了全面优化解决方案。iP1206是iPOWIR集成电源转换级产品系列的最新产品,适用于高达30A的两相单路输
国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出多功能宽输入、单路输出同步降压式稳压器,适用于高密度、高性能数据中心及消费应用。IR38xxSupIRBuck负载点(POL)稳压器系列将IR基准HEXFETR沟道技术MO