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IRF730场效应管

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源头工厂
  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IR IRF730

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    安得顺电子

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌:

    IR/国际整流器

  • 型号:

    IRF730

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

    品牌/商标 AUK韩国光电子 型号/规格 STK0760F 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 开启电压 600(V) 夹断电压 30(V) *间电容 33300(pF) 低频噪声系数 300(dB) ...

      品牌/商标 SEMIHOW 型号/规格 HFP50N06/HFP630/HFP2N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 1200...

        品牌/商标 *童 型号/规格 J6812 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) *间...

        • 王小芸

        • 供应商等级: 免费会员
        • 企业类型:经销商
        • 地区:广东汕头
        • 电话:0754-82331186

        电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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