2SK3469
富士通
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
中功率
中频
手机:13192369995
2SK3434
NEC
TO-*
普通型
直插式
散装
电话:0754-86675372
手机:13433885378
TOSHIBA/东芝
K3469
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
电话:86 0754 82330075
手机:18025534495
NEC/日本电气
K3435B 2SK3435B
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
GE-P-FET锗P沟道
电话:86 0754 82339026
TOSHIBA/东芝
K3473
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
TOSHIBA/东芝
K3497 2SK3497
结型(JFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:
NEC/日本电气
2SK3484-Z
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
TOSHIBA/东芝
K349/2SK349/K1122
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15816710626
NEC/日本电气
K4145
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-ARR/陈列组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
Hitachi/日立
K349,2SK349
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:
是
TOSHIBA/东芝
K3451
功率
硅(Si)
PNP型
600(V)
13(A)
手机:
NEC/日本电气
K4145
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-ARR/陈列组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
是
SANYO/三洋
2SJ188
功率
硅(Si)
NPN型
面接触型
贴片型
手机:13643000914
CER-DIP/陶瓷直插
K3435
N-FET硅N沟道
L/功率放大
FUJI/富士通
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
手机:
1(℃)
1
12+
砷铝化镓(GaAlAs)
是
2
SK34L
肖特基管
电话:86 0754 82330133
手机:15917900754
NEC/日本电气
2SK3435-ZJ
功率
硅(Si)
NPN型
666(A)
666(MHz)
点接触型
电话:86 0754 13433806720
手机:13433806720
日本NEC
2SK3435
品牌/商标 日本NEC 型号/规格 2SK3435 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 4(V) 夹断电压 60(V) *间电容 3200(pF) 漏*电流 80A(mA) 耗散功率 84W(mW) 大电流K3435的参数80A 75V ...
电话:86 0754 84483628
手机:13322722404
品牌:NEC/日本电气型号:K3491种类:结型(JFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:DC/直流封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:GaAS-FET砷化镓大量现货供应各类原装及拆机二三*管 可控硅 MOS管 场效应管 稳压管...
电话:0754-86679997
FUJI/富士通
2SK3451
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:0754-84495862