品牌:MITSUBISHI 产地:JAPAN 型号:QM500HA-H 数量:150 QM200HA-24 QM200HA-2H QM200HA-H QM200HA-HK QM200HC-M QM200HH-H QM20DX-H QM20HA-HB QM20KD-HB QM20TB-H QM20TC-H QM20TD-9B QM20TD-H QM20TD-HB QM20TG-9B ...
电话:8610-82900466
手机:18501993301
电话:010-82059633
手机:18618126725
*
上海一开
JS14P
3RH11
*率
5A
380V
常开常闭
电话:86 010 52097758
手机:13801173977
混合物
霍尔
否
0
SE1450-003L
0(%F.S.)
0(%F.S.)
0(%F.S.)
手机:15810710575
NXP/恩智浦
2N7002 12W
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
手机:
品牌:SKS型号:MJ2955应用范围:功率功率特性:*率频率特性:高频*性:PNP型结构:点接触型材料:硅(Si)封装形式:直插型封装材料:金属封装截止频率fT:3(MHz) 集电*允许电流ICM:15(A) 集电*耗散功率PCM:115...
电话:86 010 62567258
BS-4812
北京
晶体管图示仪 BS-4812 产地:北京 (32×22×44 cm,约15kg) BS4812型半导体管特性图示仪是一种能在示波器上观测半导体管特性曲线的*仪器。通过示波管的内刻度可直接读测半导体管的低频直流参数,通...
电话:010-62123258
型号: 2SA1745 PNP外延平面硅晶体管 厂家: SANYO 封装: SOT-23 联系 温馨提示:北京奕德威電子科技有限公司商城-网上购物元件供应商,本公司有大量集成IC和其他电子器材供您选购。由于型号太多无法*上传,有找不到...
电话:010-62566729
功率
LRC乐山/ON安森美
M*TA06LT1G
SOT-23
硅(Si)
电话:010-82614133
用途:本品为烘烤型油墨,对金属、玻璃、陶瓷、热固性塑料等具有良好的附着力。主要用于晶体管、集成电路以及各种电子元件、器件、*是各种金属器件上的*性印字及标识。 主要技术指标: 1、外观:均匀、粘稠可流动体...
电话:10-64372549
否
通用
INFINEON/英飞凌
MINI
IKA10N60T
单相/三相A*40(V)
10.4(kW)
内置RFI滤波器
电话:010-62416534
品牌:ON(安森美半导体) 型号:MJD45H11-001 类别:贴片 材料:硅 *性:PNP型 封装形式:塑料封装 应用范围:功率音频晶体管:MJD45H11-001,PNP,8A,80V,DPAK-3(TO-251)封装,与MJD44H11-001互为对管.我公司专ON(安森美半导公...
电话:010-62102077
品牌:EVERLIGHT 型号:达林顿晶体管 种类:光电耦合器特点:1、4NXX系列:4N29,4N30,4N31,4N32,4N33;2、H11BX系列:H11B1,H11B2,H11B3,H11B255;3、在输入和输出中间实现高隔离电压;4、漏电距离:&gt...
电话:010-51652285
新旧程度:9成新性能简介:QT-2型晶体管特性图示仪可根据需要测量半导体二极管、三极管的低频直流参数,集电极电流可达50A,基本满足500W以下的半导体管的测试。本机还附有高压的测试装置,可对3KV以下的半导体管进行...
电话:010-67131181
类型:晶体管图示仪 品牌:国产 型号:QT2 电压范围:5000(V) 扫频范围:-(MHz) 尺寸:-(cm) 电流范围:-(V) 适用范围:元器件测量*及二手晶体管图示仪 QT2产地: 上海重量: 40kg (加木箱)QT2型图示仪说明书QT-2型晶...
电话:010-62123258
HOA7720-M22
美国honeywell
制造商:霍尼韦尔 产品类别:光电晶体管 RoHS:是 操作电源电压: 4.5 V至5.5 V 功耗: 220毫瓦 上升时间: 70纳秒 降幅,时间: 70纳秒 运行温度: + 70 ç 工作温度: - 40摄氏度 类型:*传感器
电话:010-82828010
手机:15321578208
FAIRCHILD/仙童
FGA25N120ANTD
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
电话:010-83210971
手机:13261560816
当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时,晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高,漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此,驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载,这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此,除非驱动器可以提供几...
双极晶体管结构 上文给出了PNP和NPN双极晶体管的结构和电路符号,电路符号中的箭头始终表示基极端子和发射极端子之间“常规电流流动”的方向。对于这两种晶体管类型,箭头的方向始终从正 P 型区域指向负 N 型区域,与标准二极管符号完全相同。 双极晶体...
Si MOSFET 正常工作的驱动电路。 关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明:除少数例外,这些都不适合任何系列生产。 基本上,驱动电路必须对栅极输入电容进行充电和放电,但这不是恒定的。 当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时,晶体...