NXP/恩智浦
2N7002 12W
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
类型:经销商
电话:
联系人:辜贵东
地址:北京中国 北京市 公司具体销售地点:北京市海淀区知春路118号知春电子城一层精品间B515
本公司图片均为实物实拍,**无铅现货
价格:整盘:0.05/个
型号:2N7002
代码:12W
品牌:NXP恩智浦(原装)
产地:china
规格:SOT-23(贴片)
数量:3000pcs/盘
品牌:NXP
封装:SOT-23
基本参数:
晶体管类型:N沟道MOSFET
漏*电流Id:280mA(*大值)
电压Vds*大值:60V
电压VGS(th):2.1V(*大值)
功耗Pd:0.2W
工作温度范围:-55℃to 150℃
封装类型:SOT-23
引脚数:3
SMD标号:12W
晶体管数:1
漏**限连续电流ID: 115mA
漏**限脉冲电流Idm: 800mA
漏*通态电流ID(ON):1.43A(典型值)
安装方式:贴片
通态电阻Rds(on):5ohm@Vgs = 10V
通态电阻Rds(on):5.3ohm@Vgs = 4.5V
阈值电压Vgs(th):2.1V(典型值)
阈值电压Vgs(th):2.5V(*大值)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司