RLS-102-E5-05-RS
源丰
40000次以上
小于20毫欧
500VDC不低于1000毫欧
-25~+85摄氏度
电话:4008861708
200 V分立器件提供出色的性能,有助于加速全球能源转型 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0...
Analog Devices 宣布推出 Power by Linear LT8361,该器件是一款具有一个内部2A、100V 开关的电流模式2MHz 多拓扑 DC/DC 转换器。LT8361 在 2.8V 至 60V 的输入电压范围内工作,适合从单节锂离子电池到多节电池的电池组、汽车输入、电信电源和工业电源轨的多种输入电源应用。 LT8361 可...
马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) - 2017年12月18日–亚德诺半导体公司(Analog Devices, Inc.,简称)宣布推出 Power by Linear?的LT8364,该器件是一款电流模式、2MHz 升压型 ,具有一个内部 4A、60V 开关。LT8364 在 2.8V 至 60V 输入电压范围内运行,适合采用各种输入源的应用,例如单节锂...
(Infineon) 推出 SMART7 功率 IC ,适用于车身或配电中心等汽车应用。SMART7 功率 IC 可用来驱动、诊断及保护负载,可用于加热、配电、空调、车内外照明、座椅与照后镜调整等应用,亦可取代机电式和保险丝,提供更佳的成本效益和耐用性。SMART7 采用薄晶圆技术制程,因此功耗更低、芯片尺寸...
Analog Devices, Inc. (ADI)日前宣布推出小型隔离式栅极驱动器,这些产品专门针对SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等电源开关技术所需的更高开关速度和系统尺寸限制而设计,同时仍然提供对IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)配置的开关特性的可靠控制。ADuM41...
NX5P/NX18P3001 是一款先进的双向电源开关和 ESD 保护器件,适用于 USB-OTG 和充电器端口组合应用。它包括欠压锁定、过压锁定和过热保护电路,旨在在发生故障情况时自动隔离电源开关端子。 该器件具有两个电源开关输入/输出端子(VBUSI 和 VBUSO)、一个 ...
由于半导体行业的最新发展,对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在不断扩大。肖特基势垒 MOSFET 的源极和漏极由硅化物制成,而不是通常的掺杂硅。SB MOSFET 的一个显着特征是独特的二极管,如 I d -V ds特性的三极管工作期间呈指数电流增加。当将此类器件应用于具有...
STMicroelectronics 最近推出了新一代汽车智能开关,使用内部 A/D 转换器提供有关负载电流的数字信息。在本文中,我们将探讨具有精确电流感应功能的电源开关的必要性,并了解现代开关如何实现此功能。 ST 表示,新的高边开关是市场上第一个将数字电流检测作为其全数字片上诊断功能的一部分...