1、LPE：LiquidPhaseEpitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP2、VPE：VaporPhaseEpitaxy(气相磊晶法)GaAsP/GaAs3、MOVPE：MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy(有机金属气相磊晶
我国条批量生产超过每瓦60流明(发光效率单位，其数值越大表明发光效率越高)的白光发光二极管芯片生产线，28日在清华科技园光电有限公司落成投产。据清华科技园光电有限公司技术总监易汉平介绍，作为新型半导体光源，LED(高亮度发光二极管)的优势体现在
新华网北京８月２８日电中国条批量生产超过每瓦６０流明（发光效率单位，其数值越大表明发光效率越高）的白光发光二极管芯片生产线，２８日在清华科技园光电有限公司落成投产。清华科技园光电有限公司技术总监易汉平表示，这条生产线至２００８年底第三期工程结束
我国条批量生产超过每瓦60流明(发光效率单位，其数值越大表明发光效率越高)的白光发光二极管芯片生产线，28日在清华科技园光电有限公司落成投产。据清华科技园光电有限公司技术总监易汉平介绍，作为新型半导体光源，LED(高亮度发光二极管)的优势体现在
1范围本规范规定了功率半导体二极管芯片产品（以下简称芯片）的技术要求，检验规则和检验方法，芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款，凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（
1.范围本标准规定了半导体发光二极管芯片（以下简称芯片）的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试就去。2.规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后的修改单（不包括勘误的内容
