RLS-102-E5-05-RS
源丰
40000次以上
小于20毫欧
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200 V分立器件提供出色的性能,有助于加速全球能源转型 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0...
Analog Devices 宣布推出 Power by Linear LT8361,该器件是一款具有一个内部2A、100V 开关的电流模式2MHz 多拓扑 DC/DC 转换器。LT8361 在 2.8V 至 60V 的输入电压范围内工作,适合从单节锂离子电池到多节电池的电池组、汽车输入、电信电源和工业电源轨的多种输入电源应用。 LT8361 可...
马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) - 2017年12月18日–亚德诺半导体公司(Analog Devices, Inc.,简称)宣布推出 Power by Linear?的LT8364,该器件是一款电流模式、2MHz 升压型 ,具有一个内部 4A、60V 开关。LT8364 在 2.8V 至 60V 输入电压范围内运行,适合采用各种输入源的应用,例如单节锂...
(Infineon) 推出 SMART7 功率 IC ,适用于车身或配电中心等汽车应用。SMART7 功率 IC 可用来驱动、诊断及保护负载,可用于加热、配电、空调、车内外照明、座椅与照后镜调整等应用,亦可取代机电式和保险丝,提供更佳的成本效益和耐用性。SMART7 采用薄晶圆技术制程,因此功耗更低、芯片尺寸...
Analog Devices, Inc. (ADI)日前宣布推出小型隔离式栅极驱动器,这些产品专门针对SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等电源开关技术所需的更高开关速度和系统尺寸限制而设计,同时仍然提供对IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)配置的开关特性的可靠控制。ADuM41...
电源开关的符号在电路图中用于表示开关的不同状态和类型。常见的电源开关符号包括: 简单开关符号: 开关符号:表示开关的基本结构,通常是一个断开的线段和一个连接它的线段。开关的开/关状态通过线段的位置来表示。 电源开关符号: 开关开/关符...
NX5P/NX18P3001 是一款先进的双向电源开关和 ESD 保护器件,适用于 USB-OTG 和充电器端口组合应用。它包括欠压锁定、过压锁定和过热保护电路,旨在在发生故障情况时自动隔离电源开关端子。 该器件具有两个电源开关输入/输出端子(VBUSI 和 VBUSO)、一个 ...
由于半导体行业的最新发展,对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在不断扩大。肖特基势垒 MOSFET 的源极和漏极由硅化物制成,而不是通常的掺杂硅。SB MOSFET 的一个显着特征是独特的二极管,如 I d -V ds特性的三极管工作期间呈指数电流增加。当将此类器件应用于具有...