人工智能（AI）正推动全球数据生成量成倍增长，促使支持这一数据增长的芯片对能源的需求日益增加。英飞凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列双相功率模块，为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本（TCO）。TDM2254xD系列产品融合了强大的OptiMOSTM M...

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench I...

SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用，能实现更高能效和更佳性能　　智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块...

功率模块是电力电子系统的重要组成部分。电源模块收入将从 2023 年的 $8B 增长到 2029 年的 $16B，2023-2029 年复合年增长率为 12.1%。功率模块封装材料的成本取决于封装材料，例如芯片粘接、陶瓷基板材料和封装尺寸。2023 年，功率模块封装的材料成本约为 $2...

三菱电机集团近日（2024年1月23日）宣布即将推出六款用于各种电动汽车（xEV）的新型J3系列功率半导体模块，这些模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC-MOSFET） 或 RC-IGBT （Si）*1，具有紧凑的设计和可扩展性，可用于电动汽车 （EV） 和插电式...

当前，新型快速开关的碳化硅（SiC）功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应，SiC器件的一系列特性，如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展，同时推动SiC器件的价格持续...

当前，新型快速开关的碳化硅(SiC)功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应，SiC器件的一系列特性，如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展，同时推动SiC器件的价格持续下...

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出一款适用于太阳能逆变器应用的全SiC功率模块，该产品已被的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。　　NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一...