Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2024-03-01 10:43:31 | 488 次阅读

  日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。

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  日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT,与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局,与34 mm工业标准封装100%兼容,可采用机械插接方式更换。
  这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器,包括铁路设备;发电、配电和储电系统;焊接设备;电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗,VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C,额定电流下,集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V,达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用,开关损耗极低,+125 °C,额定电流下,Eoff仅为1.0 mJ。
  模块符合RoHS标准,集电极至发射极电压为650 V,集电极连续电流为100 A至200 A,结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996,可直接安装散热片,EMI小,减少了对吸收电路的要求。

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