人工智能(AI)正推动全球数据生成量成倍增长,促使支持这一数据增长的芯片对能源的需求日益增加。英飞凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列双相功率模块,为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本(TCO)。TDM2254xD系列产品融合了强大的OptiMOSTM M...
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench I...
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块...
功率模块是电力电子系统的重要组成部分。电源模块收入将从 2023 年的 $8B 增长到 2029 年的 $16B,2023-2029 年复合年增长率为 12.1%。功率模块封装材料的成本取决于封装材料,例如芯片粘接、陶瓷基板材料和封装尺寸。2023 年,功率模块封装的材料成本约为 $2...
三菱电机集团近日(2024年1月23日)宣布即将推出六款用于各种电动汽车(xEV)的新型J3系列功率半导体模块,这些模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC-MOSFET) 或 RC-IGBT (Si)*1,具有紧凑的设计和可扩展性,可用于电动汽车 (EV) 和插电式...
当前,新型快速开关的碳化硅(SiC)功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应,SiC器件的一系列特性,如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能,使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展,同时推动SiC器件的价格持续...
当前,新型快速开关的碳化硅(SiC)功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应,SiC器件的一系列特性,如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能,使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展,同时推动SiC器件的价格持续下...
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出一款适用于太阳能逆变器应用的全SiC功率模块,该产品已被的电源和热管理方案供应商台达选用,用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。 NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一...