韩国新《K-Chips法案》获批，三星和SK海力士有望成为最大赢家

根据国际电子商情报道，韩国国会企划财政委员会批准了新的《K-Chips法案》，这是对《限制特别税收法案》的修正案。该法案通过提高税收抵免率，增强半导体研发和设施投资的...

分类：业界动态 时间：2025/2/19 阅读：329 关键词：SK海力士

三星、SK海力士将在2025Q1减产：NAND闪存产量至少削减10%

根据报道，NAND闪存市场将在2025年面临需求疲软与供过于求的双重挑战。三星、SK海力士、美光等主要NAND闪存生产商已计划在2025年实施减产措施。　　其中，三星已决定减少西...

分类：业界动态 时间：2025/2/13 阅读：416 关键词：NAND闪存

SK海力士裁员！赔偿1年薪水！

据韩媒报道，SK海力士旗下晶圆代工子公司 ——SK 海力士系统IC开始对员工裁员重组。对于被裁员工，公司将补偿一年的基本工资、12.4万元的慰问金，并承诺包揽员工子女的学费...

分类：名企新闻 时间：2025/1/2 阅读：207 关键词：SK海力士

SK海力士重申：不会放弃CIS业务

据韩媒报道，SK海力士将通过重组未来技术研究院下的CMOS图像传感器（CIS）开发组织来继续其业务。　　业内5日称，SK海力士在2025年通过重组做出了这一决定。SK海力士未来技...

分类：名企新闻 时间：2024/12/6 阅读：359 关键词：SK海力士

消息称三星与SK海力士合作，共同推动LPDDR6-PIM内存发展

据韩媒 Business Korea 昨日报道，三星电子和 SK 海力士正在合作标准化 LPDDR6-PIM 内存产品。该合作伙伴关系旨在加快专门用于人工智能（AI）的低功耗存储器标准化。　　报...

分类：业界动态 时间：2024/12/3 阅读：242 关键词：三星SK海力士

SK海力士在NAND闪存领域也超越三星电子

SK海力士推出首款300层NAND闪存产品，威胁三星电子在存储半导体行业的领先地位。三星电子在高带宽内存（HBM）技术和最近的 DRAM 技术方面被评价为被超越，但在 NAND 堆叠竞...

分类：名企新闻 时间：2024/11/25 阅读：257 关键词：SK海力士NAND闪存

SK海力士宣布量产321层NAND闪存

SK海力士宣布量产全球首款321层NAND闪存。据新闻稿称，该公司将从 2025 年 1 月开始向客户提供 321 高 1TB 容量的 NAND 闪存。　　SK 海力士的 321 层高 NAND 闪存基于该公...

分类：名企新闻 时间：2024/11/22 阅读：430 关键词：SK海力士

消息称特斯拉已要求SK海力士和三星提供HBM4芯片样品

特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4（第六代高带宽存储器）的采购意向，并要求这两家公司提供通用HBM4芯片样品。特斯拉预计将在对比三星电子和SK海力士的样品性能之后，确...

分类：业界动态 时间：2024/11/21 阅读：312 关键词：特斯拉SK海力士

SK海力士DRAM，威胁三星？

SK海力士报告称，其D-RAM市场份额显着增加，并对半导体设施进行了大量投资，反映出高价值内存产品推动的性能强劲复苏。　　今年1月至9月，SK海力士在半导体补充投资上投入...

分类：业界动态 时间：2024/11/15 阅读：528 关键词：SK海力士三星

SK海力士HBM3E 12层订单激增

随着客户订单的激增，SK 海力士正在采用新的工艺技术来提高其第 5 代高带宽存储器 (HBM3E) 12 层的生产率。该策略是生产尽可能多的成品，以迅速满足巨大的需求。 Nextin等...

分类：名企新闻 时间：2024/10/29 阅读：379 关键词：SK海力士