SK海力士豪掷19万亿韩元建设P&T7工厂 加速AI内存芯片布局
韩国存储芯片巨头SK海力士于2026年1月13日宣布，将在忠清北道清州市投资19万亿韩元（约合909.91亿元人民币）建设第七座后端晶圆厂P&T7，专注HBM等AI内存的封装与测试需...
分类：业界要闻 时间：2026/1/14 阅读：817
SK海力士CES 2026震撼亮相：16层48GB HBM4引领AI存储革命
当全球科技界的目光聚焦拉斯维加斯时，SK海力士用一场存储技术的"核爆"级发布点燃了CES 2026的舞台。这家存储巨头不仅兑现了技术承诺，更用16层堆叠的48GB HBM4重新定义了A...
分类：业界动态 时间：2026/1/6 阅读：6727
内存供应危机：三星、SK海力士被曝优先为苹果、联想等四大PC巨头供货
全球DRAM市场正经历前所未有的供应危机，行业格局随之发生剧烈变化。据最新报道，三星电子和SK海力士两大内存巨头已开始实施"挑客"模式，优先为苹果、戴尔、联想及华硕四大PC行业领导者保障长期供应。这一战略调整正深刻影响着整个产业链...
分类：业界动态 时间：2025/12/31 阅读：11410
据最新消息，全球存储芯片巨头SK海力士位于韩国清州的M15X芯片厂将比原计划提前四个月投入量产。该工厂原定于2026年6月启动生产，现调整至2026年2月即可量产用于高带宽内存HBM4的核心组件1b DRAM晶圆，初期月产能约1万片，预计到2026年底...
分类：业界动态 时间：2025/12/30 阅读：11523
行业罕见逆势涨价 在存储芯片行业新一代产品发布前价格通常下调的规律下，三星电子与SK海力士近日宣布将HBM3E内存明年价格上调近20%，引发市场关注。这一反常现象背后，...
分类：业界动态 时间：2025/12/29 阅读：4878
近年来，随着生成式人工智能的蓬勃发展，高带宽存储器（HBM）市场迎来了前所未有的增长机遇。在这场存储芯片的竞赛中，三星电子、美光和SK海力士三大巨头展开了激烈角逐。...
分类：业界动态 时间：2025/12/26 阅读：8881
随着AI服务器需求爆发式增长，全球内存巨头三星电子与SK海力士正展开一场产能与技术的双重竞速。三星加速推进平泽第五工厂（P5）建设复工，SK海力士则启动清州M15X新厂运营...
分类：业界动态 时间：2025/12/22 阅读：5676
苹果DRAM协议到期倒计时 三星SK海力士涨价或引发连锁反应
"果粉们注意了!你的下一部iPhone可能要涨价了。" 当三星和SK海力士这两大韩国芯片巨头传出要对苹果DRAM芯片涨价的消息时，整个科技圈瞬间炸开了锅。这个消息源自知名爆料人@jukan05的最新供应链调查报告，揭示了消费电子行业即将面临的一...
分类：业界动态 时间：2025/12/15 阅读：6844
NVIDIA想把GPU塞进HBM？携手Meta、三星、SK海力士试图突破AI瓶颈
在人工智能计算性能遭遇瓶颈的当下，一场由NVIDIA领军的芯片架构革命正在悄然酝酿。据最新消息显示，NVIDIA联合Meta、三星电子和SK海力士等科技巨头，正在研发一项突破性技...
分类：业界动态 时间：2025/12/8 阅读：5221 关键词：?NVIDIA
在人工智能浪潮的持续推动下，全球高带宽存储器（HBM）市场竞争格局正迎来关键转折。最新数据显示，三星电子HBM月产能已达17万片晶圆，首次超越SK海力士的16万片，成为当前全球HBM产量最高的厂商。 产能逆袭背后的技术追赶 尽管SK...
分类：行业访谈 时间：2025/12/4 阅读：1242 关键词：三星电子
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间：2018/6/12 阅读：865
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
基础电子 时间：2013/6/20 阅读：5258
