力晶半导体(Powerchip)日前在中部科学工业园区后里基地，举行第四座12寸晶圆厂(12C)的上梁典礼。该公司表示，为掌握半导体景气高潮，力晶12C厂现正全速赶工，预计满载月产能可达7万片12寸晶圆，并于明年8月投片量产。力晶位于中科的首座1...
分类：名企新闻 时间：2006/9/13 阅读：249
日前，奇梦达正式对外宣布，将于2006年底前导入75纳米制程，并计划于德国12英寸厂试产，而身为其重要合作伙伴的华亚科也对外表示，与奇梦达制程技术将会同步。据了解，到8月底前华亚科将全数改采90纳米制程生产DRAM。而茂德目前已大量采...
分类：名企新闻 时间：2006/7/7 阅读：891 关键词：DRAM
三星70纳米OneNAND闪存开始量产，读取速度升至108Mbps
三星电子公司日前宣布，将开始量产1Gb容量的OneNAND闪存，采用70纳米制造工艺。不到18个月之前，三星宣布开发出采用90纳米工艺的1Gb容量OneNAND闪存器件。OneNAND闪存最初设计用于手机的存储设备，该器件结合NOR
分类：名企新闻 时间：2006/4/10 阅读：691
东芝参予研发嵌入式内存 与M-Systems合作 采70纳米制程
据SemiconductorReporter网站报导，日本电子大厂东芝（Toshiba）与以色列随身碟制造商亚洲艾蒙（M-Systems）正合作开发新一代嵌入式快闪磁盘（EmbeddedFlashDrive；EFD），采用70纳米制程MLC（Mul
分类：名企新闻 时间：2005/12/15 阅读：164
据日本媒体周日(12月4日)报道，日本半导体厂商NEC电子公司已经研发出了线宽55纳米的芯片制造工艺。据《日本经济新闻》当天报道，NEC电子公司将从2007年开始采用55纳米的工艺生产芯片。不过，NEC电子公司人士尚未出面证实《日本经济新闻》...
分类：业界要闻 时间：2005/12/5 阅读：717 关键词：NEC
据外电报道，中国台湾地区的内存大厂南亚科技日前表示将投资12亿到15亿美元建设一座使用300毫米晶圆和70纳米工艺的内存芯片工厂。南亚科技说，新工厂将于明年季度破土动工，预计将在2007年中期竣工投产。该公司计划投资400亿新台币到500...
分类：业界要闻 时间：2005/11/30 阅读：657
台湾集成电路公司今天董事会通过数项决议，其中核准资本预算7.07亿美元，作为跨入65纳米先进制程产能的步。台积电代理发言人曾晋皓表示，核准的资本预算将分数年投入，生产较先进的65纳米制程产品，并提升8寸厂0.18微米与0.15微米制程产...
分类：业界要闻 时间：2005/11/17 阅读：555
第二季SanDisk收入同比增长19%，70纳米8Gb闪存量产在即
随着70纳米工艺闪存芯片和系统推出，闪存卡产品供应商SanDisk公司表示，该公司2005年第2季度收入比上年同期增长19%，和2005年第1季度相比增长14%，达到5.15亿美元。2005年第2季度，SanDisk公司利润为7,060万美元，包括
分类：业界要闻 时间：2005/7/28 阅读：140
韩国三星电子(SamsungElectronics)日前表示，它已开始采用70纳米制造工艺批量生产4GbNAND闪存。三星表示，三星的4GbNAND闪存是2003年9月开发出来的，但转而采用70纳米工艺，使三星能够生产出业内尺寸最小的存储单元。此举
分类：名企新闻 时间：2005/6/7 阅读：812 关键词：三星电子
NanoMarketsLC日前发布报告，预测2008年全球纳米技术传感器(nanotechnologysensor)市场规模将增长到28亿美元，到2012年市场规模可望达到172亿美元。该报告集中介绍纳米传感器在减少尺寸和降低成本方面的应用，以提供
分类：行业趋势 时间：2004/12/21 阅读：243 关键词：纳米传感器
NanoMarketsLC日前发布报告，预测2008年全球纳米技术传感器(nanotechnologysensor)市场规模将增长到28亿美元，到2012年市场规模可望达到172亿美元。该报告集中介绍纳米传感器在减少尺寸和降低成本方面的应用，以提供
分类：行业趋势 时间：2004/12/20 阅读：226 关键词：纳米传感器
近日，英飞凌(Infineon)宣布该公司在内存蚀刻技术上取得了重大突破，采用深度沟槽（DeepTrench）的下一代DRAM已经研发成功。据悉，新一代DRAM将采用70nm工艺。Infineon表示，采用70nm技术后，集成电路板的尺寸将较目前的
