Maxim推出针对DDR存储应用的266MHz时钟振荡器DS4266。该器件具有极为精确的48%/52%占空比输出、低于1psRMS(12kHz至20MHz)的RMS抖动、以及±7.5ps(典型值)的周期间抖动。器件提高了系统的时钟裕量，并且在高速
分类：名企新闻 时间：2009/3/12 阅读：293 关键词：Maxim
LEDDriver针对可直推LED应用而推出了HT1632C
Holtek的LEDDriver针对可直推LED应用而推出了HT1632C。HT1632C属HT1632特性增益版，在驱动能力、IC耗电、显示均匀度等都大幅提昇特性，更适合直推LED。HT1632C尤适用於健身器材、电子镖靶、万年历、讯息显示及数位
分类：名企新闻 时间：2009/1/6 阅读：861 关键词：lead
尔必达开发出65nm缩小版1Gbit DDR2 SDRAM每张晶圆可裁芯片增20％
尔必达内存（ElpidaMemory）宣布，开发了每片300mm晶圆比以往65nm工艺制品芯片裁切量提高20％的缩小版DDR2同步DRAM（SDRAM）。存储量为1Gbit。与70nm工艺制品比，芯片裁切数量提高了约60％。预定2008年内在该公司
海力士开发16GB的DDR3 2-Rank R-DIMM，使用MetaRAM的技术增大容量
韩国海力士半导体（HynixSemiconductor）开发成功了存储容量16GB的DDR32-RankRegisteredDIMM（R-DIMM）“HMT32GR7AER4C-GD”和8GB的DDR32-RankR-DIMM“HMT31GR7AE
分类：名企新闻 时间：2008/8/28 阅读：573 关键词：DDR3
双箭齐发 尔必达推出内存新品 16GB FB-DIMM、DDR3-2500 SDRAM问世
尔必达（Elpida）公司近日宣布，已开发出容量达16GB的FB-DIMM（fully-bufferedDIMM；全缓冲式内存模块）EBE18FF4ABHR尔必达表示，该产品是“全球容量”的FB-DIMM，主要面向数据中心使用的服务器等。该产品
分类：新品快报 时间：2008/8/27 阅读：563 关键词：DDR3
ST推出多路输出稳压器PM6641,适用于所有芯片组和DDR2/3内存条
意法半导体（ST）推出一款高集成度的多路输出稳压器PM6641，新产品在单一产品内整合了多媒体产品芯片组和DDR2/3内存条所用的全部工作电压和参考电压源。在7x7mm的QFN-48封装内，集成三个可编程开关稳压器、一个2A线性低压降稳压器（LDO
分类：新品快报 时间：2008/5/8 阅读：401 关键词：稳压器
DRAM市场再度传出工艺转换不顺遂的消息！根据业界透露，韩国半导体大厂海力士(Hynix)2007年第4季度导入66纳米工艺，由于良率持续不顺，近期有3,000万颗的1Gb容量DDR2传出报废，对海力士产出影响约10%；下游业者表示，此事影响以合约
分类：名企新闻 时间：2008/4/8 阅读：739 关键词：DDR2
宇瞻科技推出4GB DDR2 1066MHz双通道超频内存模组
宇瞻科技(Apacer)近日推出高频率、大容量、低时序4GB(2GB×2)DDR2-1066MHz超频内存模组产品，首度让单条2GB容量的内存模组，突破DDR21066的频率，同时保留5-5-5-15的超低时序。宇瞻科技将单条2GB内存模组频率拉到
分类：新品快报 时间：2008/1/14 阅读：870 关键词：DDR2
68纳米制程结合6F2技术 美光开发出最小1Gb DDR2颗粒
据赛迪网站报道，美光科技公司（MicronTechnology）近日宣布，结合68nm制程和6F2技术，已经成功开发出世界上最小的1GbDDR2内存颗粒，芯片面积仅56mm2。据称，采用新技术的DDR2颗粒已经成功出样，预计在明年初就可以投入量产，
分类：名企新闻 时间：2007/12/18 阅读：893 关键词：DDR2
日本目前的DRAM厂商尔必达（ELPIDA）今天宣布，它已经成功开发出基于65nm工艺的1GbDDR2内存的生产技术。这一技术将使尔必达可以提供全球尺寸最小的内存芯片。“新的65nm工艺与我们自有的设计技术，使我们生产全球最小的1GbDDR2芯
分类：行业趋势 时间：2007/11/10 阅读：874 关键词：DDR2
随着电脑玩家对内存性能的要求逐年提高，从今年下半年的暑促开始，南亚科技已全面着手布局、积极培育这一内存高端市场，为DDR3内存在2008年趋于主流做准备，为满足消费者的需求，南亚科技推出了南亚易胜ElixirDDR3全速系列内存模组，可支...
分类：新品快报 时间：2007/9/24 阅读：668 关键词：DDR3
赛灵思65nm FPGA VIRTEX-5器件与厂商DDR3 SDRAM实现互操作
可编程逻辑解决方案厂商赛灵思公司（Xilinx,Inc.）日前宣布其Virtex-5FPGA器件已顺利实现了与存储器供应商的800MbpsDDR3SDRAM器件的互操作性。与Virtex-5器件实现经硬件验证的互操作性，可帮助客户通过这个业界唯
全球的DRAM内存芯片制造商之一的美国镁光（micron）公司近期发布首款运行频率达到1066MHz的DDR2内存芯片产品，这一系列的内存模组不仅仅只是用来供给普通内存模组生产制造之用，同时也意味着镁光这一系列的内存芯片颗粒更鼓励内存模组厂...
分类：新品快报 时间：2007/5/14 阅读：195 关键词：DDR2
美光科技公司（MicronTechnology,Inc.）日前宣布推出业界最快的主存储器，它配备了1GB的DDR2组件，运行速度达到了1066Mbps。美光科技公司的新款DDR2-1066存储模块主要应用于视频编辑或者高端游戏等数据增强运算应用领域
分类：名企新闻 时间：2007/5/9 阅读：1155 关键词：DDR2
内存芯片厂商美光公司已经公布了1066MHz的DDR2模块。利用使用0.078微米工艺制造的1Gb1066MHzDDR2芯片，美光已经开发出了电压为1.8伏，容量分别为512MB、1GB、2GB的内存模块。美光已经在向经过挑选的客户供应1GbDDR
分类：新品快报 时间：2007/5/8 阅读：683 关键词：Intel
