11月伊始，全球存储市场掀起轩然大波。据最新报道，闪存行业巨头闪迪(SanDisk)在11月对NAND闪存合约价格实施了高达50%的惊人涨幅，这一远超市场预期的调价举措立即在整个存储产业链引发连锁反应。 此次涨价是闪迪今年以来至少第三次大...
分类：业界动态 时间：2025/11/10 阅读：1871 关键词：NAND闪存
三星将FinFET制程导入NAND Flash闪存生产，开启存储技术新纪元
2025年10月，三星电子在SEDEX2025峰会上宣布了一项震撼半导体行业的重大技术突破——计划将鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术应用于NAND Flash闪存生产。这一创举标志着存储技术即将迎来革命性变革，为人工智能时代的数据存储需求提供了全...
分类：业界动态 时间：2025/10/28 阅读：962 关键词：三星
SK 海力士开启 321 层 QLC NAND 闪存量产新篇章
海力士此次全球率先完成 300 层以上的 QLC NAND 闪存开发，该产品拥有现有的 NAND 闪存产品中最高的集成度。为了提升成本竞争力，SK 海力士将其开发为容量相较于现有产品翻倍的 2Tb 产品。然而，一般情况下，NAND 闪存容量越大，单元中储...
分类：名企新闻 时间：2025/8/25 阅读：282 关键词：SK 海力士
铠侠正式宣布已开启采用第九代 BiCS FLASH? 3D 闪存技术的 512Gb TLC 样品的出货工作，并计划于 2025 财年（2025 年 4 月 - 2026 年 3 月）全面启动该产品的量产。这款新产...
分类：新品快报 时间：2025/7/28 阅读：2568 关键词：铠侠
存储行业迎来新动态，铠侠宣布开始出样 UFS 4.1 嵌入式闪存设备，同时回顾此前 SK 海力士在该领域的进展，以及 UFS 4.1 存储新标准的相关情况。 铠侠 UFS 4.1 闪存设备...
分类：新品快报 时间：2025/7/10 阅读：2835
三星 2026 年将量产 400 + 层 V10 NAND 闪存
据相关报道，三星电子计划自 2026 年 3 月起建设 V10 NAND 生产线，并于 10 月启动正式量产。这也是三星电子首次明确披露 V10 NAND 的量产计划。此前曾有观测认为三星会在...
分类：业界动态 时间：2025/7/5 阅读：443 关键词：三星
4D NAND 助力，2031 年 SLC NAND 闪存市场规模或超 164 亿
据 The Insight Partners 报告显示，2024 年 SLC NAND 闪存市场规模达 112.9 亿美元，预计到 2031 年将攀升至 164 亿美元，2025 - 2031 年期间复合年增长率（CAGR）为 5.3%...
分类：行业趋势 时间：2025/7/4 阅读：2363 关键词：闪存
华为发布新一代OceanStor Dorado 3000融合全闪存
华为举办商业市场极简全闪数据中心Pro+暨明星产品发布会，正式发布新一代OceanStor Dorado 3000融合全闪存存储，打造商业市场存储新标杆，全面满足并大大加快商业市场客户...
分类：新品快报 时间：2025/7/1 阅读：2037 关键词：华为
铠侠推出 PCIe 5.0 数据中心级固态硬盘 CD9P，基于 BiCS 8 TLC NAND 闪存
铠侠美国当地时间昨日宣布推出基于第八代 BiCS 3D TLC NAND 闪存的新一代 PCIe 5.0 数据中心级固态硬盘 CD9P，该系列产品专为 GPU 加速 AI 服务器对高吞吐、低延迟、高一致...
分类：新品快报 时间：2025/6/21 阅读：1990 关键词：铠侠
Infineon-英飞凌SEMPERNOR闪存系列获得ASIL-D功能安全认证
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布其业界领先的SEMPERNOR闪存经SGS-TüV认证，达到最高功能安全认证级别ASIL-D。这家权威认证机构的外部专家在根据ISO 26262:2018标准对产...
时间：2025/6/13 阅读：193 关键词：Infineon
在电子设备的存储配置描述中，“eMMC” 是一个高频出现的词汇，尤其在中低端智能手机、平板电脑、智能电视等产品中更为常见。但很多用户会混淆 “内存” 与 “闪存” 的概念，进而产生 “eMMC 是闪存还是内存” 的疑问。要解答这个问题，...
设计应用 时间：2025/9/15 阅读：2942
一、闪存的定义与优势闪存是一种非易失性存储器，广泛应用于各类电子设备中，用于数据存储。它之所以备受青睐，是因为具备快速读写速度、耐用性、低功耗和小型化等显著优点。闪存通过电荷来存储信息，即使在掉电的情况下，也能够保留数据...
基础电子 时间：2025/8/22 阅读：647
1. ONFI 是什么？ONFI（Open NAND Flash Interface，开放NAND闪存接口）是一个由英特尔、美光、海力士等厂商联合制定的标准化NAND闪存接口协议，旨在统一不同厂商的NAND闪存通信规范，解决早期NAND闪存兼容性问题。 2. 为什么需要ONFI...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：646
闪存（Flash Memory）和固态硬盘（SSD）都是基于半导体存储的技术，但它们在设计、性能和用途上有显著区别。以下是两者的主要差异： 1. 基本定义闪存（Flash Memory）一种非易失性存储芯片（断电后数据不丢失），通过浮栅晶体管存储电...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：944
EMMC（嵌入式多媒体卡）和NAND闪存是存储领域的两种重要技术，它们在结构、用途和性能上有显著区别。以下是详细对比： 2. 核心区别 (1) 集成度 NAND闪存： 仅是存储芯片，需要外接主控（如SSD的主控芯片）、FTL（闪存转换层...
基础电子 时间：2025/4/30 阅读：2373
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：702
SEMPER NOR Flash闪存解决方案中心针对安全关键型应用简化设计并缩短上市时间
英飞凌科技股份公司发布了针对屡获殊荣的SEMPERNOR Flash系列产品的全新开发工具 —— SEMPER解决方案中心。作为集成了所有应用模块的一站式网站，SEMPER解决方案中心涵盖...
新品速递 时间：2024/2/27 阅读：1104
TI - OptiFlash 存储器技术如何利用外部闪存应对软件定义系统中的挑战
在写字楼、工厂车间和汽车中，软件正逐步取代机械部件和固定电路。例如，使用智能锁取代机械锁后，用户可以通过手机应用程序对智能锁进行控制，同时制造商可通过软件更新、改进或校正智能锁的功能。在这种趋势下，人们对存储器的要求不断...
基础电子 时间：2024/1/11 阅读：405
这种新功能和先进功能的结合正在对传统汽车 E/E 架构的能力造成压力（见图1）。为了满足这一需求，原始设备制造商正在通过采用域/区域架构方法将更多功能整合到更少的系统...
设计应用 时间：2023/12/6 阅读：736
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：839
