凌特公司推出低噪声、高精度CMOS运算放大器系列的成员LTC6244。LTC6244是一个双路运算放大器，并具有可挑战精密双极放大器的50MHz增益带宽和输入特性，并提供了其它放大器所无法提供的突破性性能。它在整个工业温度范围内可保证失调电
用于TD-SCDMA系统的集成CMOS对称式收/发开关的设计
引言TD-SCDMA使用的是时分双工方式(TDD)。对于TDD通信系统来说，高质量的收/发开关是RF前端电路的关键模块。为了提高集成度，收/发开关可以采用全集成的形式来取代传统的GaAsMOSFET和PIN二极管等分立元件。使用CMOS收/发开关取
分类：业界要闻 时间：2006/8/19 阅读：939 关键词：CMOS
IBM公司的T.J.WatsonWatson研究中心宣布开发出一款试验IC，其不同之处在于使用单分子纳米管作为组成环路振荡器的五个类似CMOS反相器的通用沟道。据称，该款全集成器件比其它实验室开发的最快的基于纳米管的电路还要快400,000倍，可以
DG2731/2/3：单刀双掷单片CMOS模拟开关；1.6V～4.3V单电源工作电压；功率下导通电阻值仅为0.4欧姆；deltarON仅为0.03欧姆；可与1.6V的逻辑器件兼容；可与低压DSP或MCU控制逻辑器件轻松连接；4.3V时打开时间为
分类：业界要闻 时间：2006/8/9 阅读：1230 关键词：CMOS
☆功耗低CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW，...
圣邦微电子日前推出3MHz轨到轨输入/输出CMOS运算放大器SGM8621/2/3/4系列，具有低噪声(12nV/sqrt(Hz))、低电压(2.5V～5.5V)和低功耗(典型静态电流为250μA)的特点。其中SGM8621为单通道，SGM8622
CMOSRFIC开关浅析简洁而廉价，的2.5GHzCMOS开关向GaAs开关提出了挑战CaliforniaEasternLaboratoriesJOEGRIMM---CMOS开关已经引起了从事RF设计的工程师们的关注，其中的原因是多方面的。首先
分类：业界要闻 时间：2006/7/24 阅读：198 关键词：CMOS
飞兆半导体(FairchildSemiconductor)推出全新的FOD0708(单信道)和FOD0738(双信道)15MBd光耦合器，提供据称业界的额定共模噪声抑制(CMR)，同时具有工业控制应用所需的高带宽(每秒15Mbit)及低功耗等特
Vishay模拟开关采用亚微米CMOS低压技术，瞄准便携式设备信号路由
日前，Vishay推出三款双单刀双掷(SPDT)单片CMOS模拟开关，这些器件在尺寸较小的封装中结合了低工作电压范围及低导通电阻额定值，它们主要面向便携式及电池供电终端产品中的信号路由应用。这些新型DG2731、DG2732及DG2733模拟开关可
圣邦新推10MHz音频CMOS运算放大器SGM721/2/3/4
圣邦微电子(SGMC)日前推出10MHz音频CMOS运算放大器SGM721/2/3/4，其中SGM721为单通道、SGM722为双通道、SGM723为单通道带关断功能、SGM724为四通道运算放大器。SGM721/2/3/4为轨到轨输入/输出运算放
CMOS集成电路的安装。为了避免由于静电感应而损坏电路，焊接CMOS集成电路所使用的电烙铁必需良好接地，焊接时间不得超过5秒。使用20~25W内热式电烙铁和502环氧助焊剂，必要时可使用插座。在接通电源的情况下，不应装拆CMOS集成电路。凡是...
AvagoTechnologies（安华高科技）将扩展与台积电（TMSC）的合作协议，进一步在下两代的增强型(EP)图像传感器产品领域加强合作。据介绍，前者130万像素图像传感器和推出的200万像素图像传感器都是由台积电生产制造。双方将持续合作
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出三款双单刀双掷(SPDT)单片CMOS模拟开关，这些器件在尺寸较小的封装中结合了低工作电压范围及低导通电阻额定值，它们主要面向便携式及电池供电终端产品中的信号路由应用。这些新型DG273
一个把CMOS工艺推向32纳米和22纳米制造节点的欧洲协作研究项目PullNano，有望获得2500万欧元(大约3200万美元)的基金支持，以继续实施在2004年启动的NanoCMOS项目。据NanoCMOS网站的消息，PullNano项目受到欧盟
分类：业界要闻 时间：2006/6/9 阅读：698 关键词：CMOS
捷智BiCMOS工艺助力，广晟开发出WCDMA射频收发芯片组
广晟微电子有限公司日前宣布，该公司采用捷智半导体公司0.18μm锗硅BiCMOS工艺成功开发出可供商用的3GWCDMA无线手机射频收发芯片组。广晟微电子的WCDMA射频收发芯片组包括零中频接收芯片RS1007W和发射芯片RS1007RF,广晟微电子
分类：业界要闻 时间：2006/6/2 阅读：426 关键词：WCDMA
