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VR显示两大技术方向:Fast-LCD和硅基OLED你站哪边?

成本的降低和用户体验感的提升是VR/AR硬件产品提升的重要方向。为此,厂商积极尝试多种显示技术,以打造逼真、沉浸而舒适的视觉体验,VR/AR显示面板市场呈现一片热闹景象。...

分类:业界动态 时间:2022/11/9 阅读:1382

Renesas瑞萨电子推出用于电动汽车逆变器的新一代硅基IGBT 全新功率器件将在瑞萨新落成的300mm甲府工厂生产

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布,推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车(EVs)逆变器应用,AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日...

分类:新品快报 时间:2022/10/26 阅读:223 关键词:电子

良率95%!英特尔测试完成以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片

近日,处理器龙头英特尔实验室和组件研究组织在加拿大魁北克举行的2022年硅量子电子研讨会表示,实验室和零部件研究部门已展示硅自旋量子运算设备的业界zui高产量规格和一...

分类:名企新闻 时间:2022/10/11 阅读:1030

良率95%!英特尔测试完成以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片

近日,处理器龙头英特尔实验室和组件研究组织在加拿大魁北克举行的2022年硅量子电子研讨会表示,实验室和零部件研究部门已展示硅自旋量子运算设备的业界最高产量规格和一致...

分类:名企新闻 时间:2022/10/10 阅读:1243

LG显示副总裁称硅基OLED将成未来元宇宙设备主要面板

据国外媒体报道,去年蹿红的元宇宙,得到了资本市场和科技巨头的广泛关注,苹果三星等都在大力投资元宇宙,元宇宙设备的兴起,也拉升了对传感器、面板等零部件的需求。 在...

分类:行业趋势 时间:2022/9/7 阅读:4212

瑞萨电子推出用于电动汽车逆变器的新一代硅基IGBT

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布,推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车...

分类:新品快报 时间:2022/8/31 阅读:1174

瞄准VR/AR设备,芯视元发布两款Micro OLED硅基微显示芯片

随着元宇宙概念走红,苹果、谷歌等科技巨头即将发售VR/AR新品的消息不胫而走,产业链上游纷纷布局下一代近眼显示产品——硅基OLED微型显示器。 近期,厂商的产业布局已经...

分类:业界动态 时间:2022/6/22 阅读:2156

ST-意法半导体和MACOM成功开发射频硅基氮化镓原型芯片,取得技术与性能阶段突破

产品达到成本和性能双重目标,现进入认证测试阶段 实现弹性量产和供货取得巨大进展 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)和世界排名前列的电信、工业、...

分类:名企新闻 时间:2022/6/8 阅读:254 关键词:LED 照明

Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管

埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出两款新型宽带碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT),功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-10...

分类:新品快报 时间:2022/2/24 阅读:1475

中国科学院院士张跃:探索与硅基技术兼容的新材料将是后摩尔时代的机遇与挑战

“编者按:随着集成电路晶体管密度越来越接近物理极限,单纯依靠提高制程来提升集成电路性能变得越来越困难。围绕如何发展“后摩尔时代”的集成电路产业,世界都在积极寻找...

分类:行业访谈 时间:2021/11/29 阅读:2356

晶湛半导体成功突破12英寸硅基氮化镓HEMT外延技术

由芜湖市人民政府和SEMI中国共同主办的“化合物半导体制造技术论坛”在安徽省芜湖市成功举办,晶湛半导体应邀出席并发表题为“用于新型GaN功率器件的外延技术进展”的主旨...

分类:名企新闻 时间:2021/9/26 阅读:1730

专访中国工程院院士吴汉明:硅基技术在产业上的地位,未来几十年应该仍不可撼动

开栏的话:随着集成电路晶体管密度越来越接近物理极限,单纯依靠提高制程来提升集成电路性能变得越来越困难。围绕如何发展“后摩尔时代”的集成电路产业,全球都在积极寻找...

分类:行业访谈 时间:2021/9/3 阅读:3693

新能源汽车,碳化硅器件加快替代硅基IGBT

近日,特斯拉发布了一款新车型——ModelSPlaid。该车的创新之一是搭载了由碳化硅(SiC)为主要器件的逆变器。由于SiCMOSFET具有更好的耐高压、高温、高频性能,加载到逆变器...

分类:业界动态 时间:2021/6/29 阅读:3649

中国科大在硅基半导体量子芯片的自旋调控上取得重要进展

中国科学技术大学郭光灿院士团队在硅基半导体锗纳米线量子芯片研究中取得重要进展。该团队郭国平、李海欧等人与中科院物理所张建军和本源量子计算有限公司合作,首次在硅基...

分类:业界动态 时间:2021/5/22 阅读:2167

CREE科锐推出多款碳化硅基氮化镓器件,助力大型雷达加速发展

美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 –– 碳化硅技术 企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,推出多款碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)器件:Wolfspeed CMPA901A020S、CMPA9396025S、CMPA801B030 系列。本次推出的器件采用MMIC技术,具备研发部...

分类:新品快报 时间:2021/5/14 阅读:815 关键词:CREE科锐