类别：新品快报 出处：网络整理 发布于：2022-10-26 16:08:11 | 184 次阅读
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车（EVs）逆变器应用，AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和300mm晶圆线上开始批量生产。此外，瑞萨将从2024年上半年开始在其位于日本甲府的新功率半导体器件300mm晶圆厂加大生产，以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求。
与当前一代AE4产品相比，用于IGBT的硅基AE5工艺可将功率损耗降低10%，这一节能技术将有助于 EV开发人员节省电池电量并增加行驶里程。新产品在保持高稳健性的同时，体积也缩小了约10%。这款全新瑞萨器件通过在低功率损耗和高稳健性的权衡中取得平衡，实现了IGBT行业领先的性能水平。这款IGBT限度地减少IGBT间的参数变化，并在IGBT并联运行时带来稳定性，从而显著改善模块的性能与安全性。这些特性为工程师提供了更大灵活性，帮助其设计出能够获得高性能的小型逆变器。
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