场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，...
分类：业界要闻 时间：2006/8/30 阅读：4025
场效应管放大电路：一、偏置电路有自生偏置和混合偏置两种方法，表1电路I利用漏极电ID通过Rs所产生的IdRs作为生偏置电压，即Ugs=-IdRso可以稳定工作点。|IdRs|越大，稳定性能越好，但过负的偏置电压，会使管子进入夹断而不能工作。若采用...
分类：业界要闻 时间：2006/8/30 阅读：84
1、夹断电压VP当VDS为某一固定数值，使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。2、饱和漏电流IDSS在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。3、击穿电压BVDS表示漏、源极间所能承受的最
分类：业界要闻 时间：2006/8/30 阅读：1710
场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。1、结型场效应管（JFET）（1）结构原理它的结构及符号见图1。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区，形成两个PN结。在P区引出电极...
分类：业界要闻 时间：2006/8/30 阅读：3286
场效应管的主要参数(1)直流参数饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS开启电压UT它...
分类：业界要闻 时间：2006/8/23 阅读：1613
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）一：结型场效应管1.结型场效应管的分类结型场效应管有两种结构形式。它们是N沟道结型场效应管（符号图为（1））和P沟道结型场效应管（符号图为（2））从图中我们可以看到，结...
分类：业界要闻 时间：2006/8/23 阅读：1261
场效应管工作原理（1）场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极
分类：业界要闻 时间：2006/8/23 阅读：505 关键词：三极管
1.什么叫场效应管？FffectTransistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。F
分类：业界要闻 时间：2006/8/23 阅读：1215
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流
分类：业界要闻 时间：2006/8/23 阅读：1264
场效应管现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其...
分类：业界要闻 时间：2006/8/23 阅读：781
