Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS®钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率G...
时间：2022/6/23 阅读：148
Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET...
分类：新品快报 时间：2021/4/28 阅读：3931
Infineon - 英飞凌率先采用300毫米薄晶圆工艺批量生产新一代汽车功率场效应管
2015年5月20日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
irf4905价格分析：irf4905产品近一段时间销量较稳定，网上搜索、报价较多，零售价在4.00元，量大价优。irf4905基本参数：封装：TO220品牌：IR闸电荷(Qg)@Vgs：180nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss)：3400
分类：维库行情 时间：2011/10/25 阅读：1749
场效应管在使用时除了注意不要使主要参数超过允许值外，对于绝缘栅型场效应管还应特别注意由于感应电压过高而造成的击穿问题。一般在使用时应注意以下几点：（1）场效应管在使用时要注意不同类型的栅源漏各极电压的极性。保证电压和电流...
时间：2008/9/2 阅读：1592
场效应管有两大类，结型场效应管和绝缘栅型场效应管。每种类型的场效应管按导电沟道又可分为N型沟道和P型沟道，按工作方式又可以分为增强型和耗尽型。绝缘栅型场效应管与结型场效应管的不同之处在于它们的导电机构不同。绝缘栅型场效应管...
时间：2008/9/2 阅读：3717
卓芯微电子(InnovaSemi)推出双P沟道增强型场效应管产品RCR1565FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。RCR1565FB主要应用于基于TI平台的手机设计方
分类：新品快报 时间：2008/7/15 阅读：1554 关键词：微电子
卓芯微电子(InnovaSemi)推出双P沟道增强型场效应管产品RCR1565FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。RCR1565FB主要应用于基于TI平台的手机设计方
分类：新品快报 时间：2008/7/14 阅读：325 关键词：微电子
MIRAI使用标准工艺开发出等效氧化层厚0.5nm的MOS场效应管
半导体MIRAI项目的子项目组通过标准的MOS制造工艺（Gate-firstProcess，先加工栅极工艺）开发成功了等效氧化层厚度（EOT）为0.5nm的极薄型MOS场效应管（演讲序号20.2）。通过在栅叠层（GateStack）上使用高介电率（
分类：政策标准 时间：2007/12/17 阅读：733 关键词：MOS
Toshiba打造GaN功率场效应管，应用于Ku波段中高功率输出
Toshiba公司开发了GaN功率场效应管，这种场效应管应用频率在Ku波段（12-GHzto18-GHz）可以在14.5-GHz的频点上产生65.4-W的功率输出。这种晶体管应用在卫星基站的微波通信中，在通信中携带包括高清广播在内的高信息量的信号。
分类：名企新闻 时间：2007/10/30 阅读：590 关键词：Toshiba
有直流参数，包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻；交流参数，即低频跨导；极限参数，包括反向击穿电压和最大漏极功耗。 1.开启电压Ur Ur是增强型MOS管的主要参数，当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时，场效应管不能...
基础电子 时间：2024/8/2 阅读：387
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅—源极间所加的偏压即为夹断电压，用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V，3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电...
基础电子 时间：2024/6/18 阅读：242
可控硅的工作原理、分类、作用与三极管的区别、与场效应管区别、典型应用接线图
可控硅（SCR，Silicon Controlled Rectifier）是一种电子器件，其工作原理基于半导体的导电性可控特性。以下是可控硅的工作原理： 结构：可控硅由四个半导体层组成，通常是三个N型半导体层和一个P型半导体层。这些层被两个金属接触的...
基础电子 时间：2024/4/24 阅读：561
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，常用于放大、开关和调节电流。其工作原理基于半导体中的电场调制效应，主要有三种类型：金属氧化物场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，...
基础电子 时间：2024/4/22 阅读：334
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅-...
设计应用 时间：2024/1/25 阅读：2308
1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电...
基础电子 时间：2023/6/14 阅读：263
我们常接触到，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型...
基础电子 时间：2023/6/2 阅读：74
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，...
基础电子 时间：2023/4/6 阅读：329
MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补M...
基础电子 时间：2023/4/6 阅读：361
一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出...
设计应用 时间：2022/7/27 阅读：426
