全球整合组件（IDM）大厂委外代工趋势愈趋明显，继日前NAND型块闪内存（Flash）大厂东芝（Toshiba）将旗下1TPSRAM产能委外予华邦电后，IDM大厂意法半导体（STMicroelectronics）亦将其原本在自家晶圆厂生产的1TPS
分类：名企新闻 时间：2005/8/12 阅读：256 关键词：IDM
p{text-indent=2em}OsramOptoSemiconductor公司推出的新款6引脚MultiLED器件的输出为上代产品的两到三倍，而使用寿命更长达上代产品的5倍。其所有三种芯片(红、绿和蓝)均采用薄膜技术制造，几乎允许所有光线在其
分类：维库行情 时间：2005/7/11 阅读：872
Crolles2联盟日前宣读一篇有关在正常制造条件下采用标准CMOS体效应技术和45纳米设计规则制造面积小于0.25平方微米的六晶体管SRAM位单元的论文，这个单元尺寸比先前的解决方案缩小了一半。Crolles2联盟是由飞思卡尔半导体、飞利浦和意法
分类：名企新闻 时间：2005/6/24 阅读：713 关键词：SRAM
世界的非易失性铁电存储器开发及供应商----Ramtron国际公司(纳斯达克代码:RMTR)今天发布其1兆位的铁电存储器产品---FM20L08。此型号的操作电压为3-volt,32-pinTSOP（thinsmalloutlineplasti
据市场调研公司SemicoResearchCorp.，继2004年强劲增长之后，预计2005年DRAM和SRAM市场将出现下滑。据Semico，经济因素、PC和手机市场产能过剩及增长速度放缓，将导致2005年DRAM市场比2004年下降4%至250
美国IBM日前面向32nm级工艺试制成功了内存单元面积仅为0.143μm2的6晶体管型的SRAM（IBM的发布资料）。采用氧化膜厚度为25nm的SOI（绝缘体上硅）底板。据IBM称，虽然此前台湾TSMC（台积电）曾在2004年6月公布的0.296μ
