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国际IDM大厂1T PSRAM订单纷至沓来

全球整合组件(IDM)大厂委外代工趋势愈趋明显,继日前NAND型块闪内存(Flash)大厂东芝(Toshiba)将旗下1TPSRAM产能委外予华邦电后,IDM大厂意法半导体(STMicroelectronics)亦将其原本在自家晶圆厂生产的1TPS

分类:名企新闻 时间:2005/8/12 阅读:255 关键词:IDM

Osram推出6引脚MultiLED器件

p{text-indent=2em}OsramOptoSemiconductor公司推出的新款6引脚MultiLED器件的输出为上代产品的两到三倍,而使用寿命更长达上代产品的5倍。其所有三种芯片(红、绿和蓝)均采用薄膜技术制造,几乎允许所有光线在其

分类:维库行情 时间:2005/7/11 阅读:872

Crolles2联盟开发的超高密度SRAM单元

Crolles2联盟日前宣读一篇有关在正常制造条件下采用标准CMOS体效应技术和45纳米设计规则制造面积小于0.25平方微米的六晶体管SRAM位单元的论文,这个单元尺寸比先前的解决方案缩小了一半。Crolles2联盟是由飞思卡尔半导体、飞利浦和意法

分类:名企新闻 时间:2005/6/24 阅读:713 关键词:SRAM

Ramtron发布可替代SRAM的1兆位铁电存储器

世界的非易失性铁电存储器开发及供应商----Ramtron国际公司(纳斯达克代码:RMTR)今天发布其1兆位的铁电存储器产品---FM20L08。此型号的操作电压为3-volt,32-pinTSOP(thinsmalloutlineplasti

分类:维库行情 时间:2005/5/20 阅读:369 关键词:RamtronSRAM存储器

2005年DRAM和SRAM市场双双下滑

据市场调研公司SemicoResearchCorp.,继2004年强劲增长之后,预计2005年DRAM和SRAM市场将出现下滑。据Semico,经济因素、PC和手机市场产能过剩及增长速度放缓,将导致2005年DRAM市场比2004年下降4%至250

分类:行业趋势 时间:2005/3/1 阅读:575 关键词:DRAMSRAM

IBM试制成功内存单元面积最小的SRAM

美国IBM日前面向32nm级工艺试制成功了内存单元面积仅为0.143μm2的6晶体管型的SRAM(IBM的发布资料)。采用氧化膜厚度为25nm的SOI(绝缘体上硅)底板。据IBM称,虽然此前台湾TSMC(台积电)曾在2004年6月公布的0.296μ

分类:名企新闻 时间:2004/12/18 阅读:1266 关键词:IBMSRAM