晶体

晶体资讯

ST推出全新系列30V表面贴装功率晶体管

ST(意法半导体)推出全新系列的30V表面贴装功率晶体管,导通电阻仅为2毫欧(值),新产品可提高计算机、电信设备和网络设备的能效。采用意法半导体的STripFETVIDeepGATE制造工艺,单元密度提高,以有效芯片尺寸对比,新产品实现业内

分类:名企新闻 时间:2009/4/9 阅读:4781 关键词:晶体管

功耗降低90%? Intel新晶体管材料曝光

根据报道,Intel公司新推出一种名为“P-channel”和“N-channel”的晶体管能够将处理器的功耗降低至当前处理器产品的10%。Intel公司于日前公布了新材料“P-channel”晶体管的更多细节,新晶体管基于的是硅基,使用了一种名为

时间:2009/4/7 阅读:700 关键词:Intel晶体管

单一石墨烯晶体管倍频器:打破高频应用的极限

美国麻省理工学院科研人员最近展示了一款由单一石墨烯晶体管打造的倍频器。麻省理工学院科研人员表示,通过采用石墨烯晶体管可以利用相对简单的架构来实现复杂的新型电路。石墨烯晶体管的电子迁移率和空穴迁移率相等。因此石墨烯晶体管即...

分类:名企新闻 时间:2009/3/27 阅读:483 关键词:晶体管

安茂微电子推出内建30伏特场效晶体管升压驱动器

先进的电源管理集成电路设计公司,安茂微电子推出1.4MHz切换频率内建30伏特场效晶体管升压驱动器。AME5143提供过电流(OverCurrent)、逐周期电流感测(Cycle-by-CycleCurrentLimit)、软启动(SoftStar

分类:名企新闻 时间:2009/3/26 阅读:1231 关键词:晶体管驱动器微电子

Epson开发出最小型32.768kHz石英晶体振荡器

EpsonToyocom公司开发出据称是全球最小型32.768kHz石英晶体振荡器SG-3050BC,尺寸仅2.2mm×1.4mm×1.0tmm。与上一代振荡器相比,新组件面积减少70%,体积减少75%,可协助电子设备制造商在加强产品效能的同时

分类:新品快报 时间:2009/3/26 阅读:1046 关键词:振荡器

Philips光子晶体LED光提取效率预计可达73%

在向大功率、高亮度LED的光提取效率迈进时,飞利浦Lumileds公司(位于加拿大圣何塞市)与飞利浦Research公司(位于荷兰艾恩德霍文市)的研究人员研制出一种使用电子晶体结构的蓝光LED,在未封装的情况下,其光提取效率预计可达73%。事实

分类:名企新闻 时间:2009/3/24 阅读:1082 关键词:leadPhilips

NEC展示处理温度在200℃以下印刷制造CNT晶体管

据日经BP社报道,NEC在“nanotech2009(国际纳米科技综合展)”(2月18日~20日)上,展示了通过印刷技术形成采用碳纳米管(CNT)的晶体管全部构成要素的技术(参阅本站报道)。由于能够在200℃以下的处理温度状态形成CNT晶体管,因此

分类:名企新闻 时间:2009/3/6 阅读:300 关键词:NEC晶体管

处理温度在200℃以下印刷制造CNT晶体管

NEC在“nanotech2009(国际纳米科技综合展)”(2月18日~20日)上,展示了通过印刷技术形成采用碳纳米管(CNT)的晶体管全部构成要素的技术(参阅本站报道)。由于能够在200℃以下的处理温度状态形成CNT晶体管,因此可将PEN(聚萘二

分类:名企新闻 时间:2009/3/5 阅读:272 关键词:晶体管

东大利用喷墨技术试制出通道长1μm的有机晶体管

东京大学工学系研究科量子相电子研究中心副教授染谷隆夫采用可控制液滴在1fl(飞升)以下的超微量喷墨技术,开发出了有机晶体管的制造工艺。染谷采用该技术,试制出了新型有机晶体管,其中构成源-漏极的Ag(银)电极线宽为2μm,通道长为...

分类:名企新闻 时间:2009/2/26 阅读:4161 关键词:晶体管

23亿个晶体管处理器挑战集成度及性能极限

尽管高登-E-摩尔(GordonE.Moore)提出警告,认为“摩尔法则”无法继续有效,但微处理器的高集成度化仍在进一步发展,并为性能的提高作出重大贡献。虽然处理器内核的数量及缓存容量持续增加,但目前仍存在诸多应该解决的重要课题,其中包...

分类:名企新闻 时间:2009/2/20 阅读:973 关键词:处理器晶体管

处理器挑战性能极限晶体管数量达到23亿

虽然处理器内核的数量及缓存容量持续增加,但目前仍存在诸多应该解决的重要课题,其中包括芯片间的通信性能出现瓶颈、耗电量增加、以及由于软错误及缺陷造成的错误等导致的可靠性低下等。另外,芯片内的时钟及电源分配难度也很高,因此要...

分类:业界要闻 时间:2009/2/18 阅读:1083 关键词:处理器晶体管

拓日新能:晶体硅电池获

拓日新能日前发布公告称,公司主要产品之一TPS105-180W单晶硅太阳能电池组件近日通过国际电工委员会IEC61215(地面用晶体硅光伏组件-设计鉴定和定型)认证。IEC61215是国际电工委员会制定的晶体硅太阳能电池组件的国际标准,目前的版本于

分类:名企新闻 时间:2009/2/17 阅读:276 关键词:电池

处理器挑战集成度及性能极限晶体管数量达到23亿个

尽管高登·E·摩尔(GordonE.Moore)提出警告,认为“摩尔法则”无法继续有效,但微处理器的高集成度化仍在进一步发展,并为性能的提高作出重大贡献。虽然处理器内核的数量及缓存容量持续增加,但目前仍存在诸多应该解决的重要课题,其中...

分类:业界要闻 时间:2009/2/14 阅读:1201 关键词:处理器晶体管

Digi-Key库存Cree GaN HEMT晶体管

日前,Digi-KeyCorporation与Cree,Inc.共同宣布,Digi-Key现在正在库存面向通用微波应用的Cree氮化镓(GaN)HEMT晶体管。Digi-Key的Cree产品系列包括SiC功率元件、SiCMESFET、高亮度与高功率

分类:名企新闻 时间:2009/2/9 阅读:302 关键词:CreeDigi

“晶体管、刚性智能卡、二极管”加工贸易单耗标准起草工作启动

工信部(工信运行简函[2008]2号)文《关于下达晶体管等产品单耗标准制定计划的通知》:经海关总署及国家发改委审定,晶体管、刚性智能卡、两极管三个产品的加工贸易单耗标准列为2008年度加工贸易单耗标准制定计划(署办发[2008]186号文)...

分类:名企新闻 时间:2009/2/2 阅读:1471