近期联发科传出在上攻10纳米FinFET制程技术失利之后，内部开始评估采用在大陆市场极为火热的FD-SOI制程，联发科为甩开在中、低阶手机芯片市场与展讯激烈缠斗，考虑投单GlobalFoundries一代22纳米FD-SOI制程，该计划将待6月新上任的共同执...
凭借FD-SOI的特性，对于广泛的市场领域，半导体生态系统的主要参与者对该技术越来越感兴趣。全耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）是将CMOS晶体管的两个实质特性汇集在一起的独特技...
继今年2月Globalfoundries的晶圆厂落户成都，双方之间的私营/官方合作伙伴关系进一步延续，于本周二(May 23)发布一项新的1亿美元投资计划，未来将在FDSOI技术基础上，共同...
分类：业界动态 时间：2017/5/25 阅读：385 关键词：FD-SOI
目前，中国至少已浮出三家晶圆厂将采用SOI工艺先进制程。根据Markets and Markets预估，SOI市场在2022年市场价值将达18.6亿美元，2017-2022年期间平均复合成长率将达29.1%...
分类：业界动态 时间：2017/5/24 阅读：324 关键词：格芯
恩智浦今年使用三星的28nm全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）工艺生产多达五种SoC，其中一种的样品的试制已经进行了6个月。三星预计将在五月份公布其FD-SOI路线图，并正在为其开发RF和内部嵌入式MRAM。 恩智浦的一位执行官在一次活动上展...
采用还是放弃FD-SOI？这一问题目前仍然困扰着芯片产业的很多厂商，但是NXP已经在前两周举行的德国纽伦堡嵌入式电子与工业电脑应用展对这样一个困扰着业界的问题给出了自己的答案。借此机会，NXP推出了基于28nmFD-SOI工艺的超低功耗通用处...
格罗方德半导体推出12nm FD-SOI工艺，拓展FDX路线图
格罗方德半导体今日发布了全新的12nmFD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内多节点FD-SOI路线图，从而延续了其地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、
来自中国的资本投入和客户市场，将使得FD-SOI阵营快速拓展市场版图，不过，中芯国际和台积电押注主流FinFET工艺……尽管产量仍然非常少，全空乏绝缘上覆硅(fullydepletedsilicon-on-insulator，FD-SOI)工艺有可
SamsungFoundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。三星晶圆代工业务(SamsungFoundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spi
虽然曾在激烈竞争中于关键性技术节点28nm和14nm落后于人，但作为目前全球第二大半导体代工厂，Globalfoundries(格罗方德)毫无疑问在技术方面仍有其独到之处。随着摩尔定律...
分类：业界要闻 时间：2016/6/14 阅读：262 关键词：SOI
华人科学家胡正明教授刚刚被美国总统奥巴马授予2015年全美技术奖。作为半导体业界的翘楚，他在采访中谈到，在25nm看到尽头时美国政府曾向业界征集方案，胡教授之后提出了FinFET和UTB-SOI（FD-SOI），前者我们很熟悉，后者的中文名称是
意法半导体(ST)宣布在28奈米完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件(FD-SOI)技术平台的研发向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12吋(300毫米)晶圆厂导入该制程技术，这证明意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型(Plana
