Vishay推出新款Power Metal Strip电池分流电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款PowerMetalStrip电池分流电阻---WSBS8518，新电阻在8518尺寸封装内实现了36W功率和低至100μΩ的极低阻值。WSBS8518电池分流电阻采用专利技术
Vishay推出三款超高Bulk Metal Z箔表面贴装电阻网络
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出三款超高精度的BulkMetalZ箔表面贴装电阻网络---2电阻的VFB1012D分压器，3电阻的VFB1515N和4电阻的VFB2028N，在目前BGA(球栅阵列)封装的产品中具
Vishay推出QPL系列Bulk Metal箔超高微调电位器
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新的QPL系列BulkMetal箔超高精度Accutrim微调电位器---1242系列电位器，可以满足并全面超出MIL-PRF-22097标准F章的要求。对于航空、军工和航天应用(
分类：新品快报 时间：2009/6/5 阅读：4339 关键词：Vishay
Vishay推出采用Bulk Metal箔技术超高微调电位器
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用BulkMetal箔技术的超高精度Accutrim系列微调电位器---1240和1260系列，达到并超出了MIL-PRF-39035标准H章的要求。1240系列的规格为1/4平
Vishay推出采用Bulk Metal箔技术的超高微调电位器
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用BulkMetal箔技术的超高精度Accutrim系列微调电位器---1240和1260系列，达到并超出了MIL-PRF-39035标准H章的要求。1240系列的规格为1/4平
Vishay推出通过严格军标的新型Bulk Metal箔电阻及其代替器件
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，已将其QPLRNC90Y系列高可靠BulkMetal箔电阻的容差减小到±0.005%。如果设计者需要的电阻阻值比QPL规定的范围更高或更低，但是要求具有同样的性能，也可采用非QPL版的
分类：名企新闻 时间：2009/5/22 阅读：1023 关键词：Vishay
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，已将其QPLRNC90Y系列高可靠BulkMetal箔电阻的容差减小到±0.005%。如果设计者需要的电阻阻值比QPL规定的范围更高或更低，但是要求具有同样的性能，也可采用非QPL版的
分类：名企新闻 时间：2009/5/20 阅读：276 关键词：Vishay
Vishay采用Bulk Metal箔工艺的超高Accutrim微调电位器
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用BulkMetal箔工艺的超高精度Accutrim系列微调电位器---1202系列，该系列器件采用1¼英寸的直线RJ12型定型长度，达到并超出了MIL-PRF-2
VishayIntertechnology,Inc.日前宣布，发布三款面向航空、国防和航天(AMS)应用的通过CECC认证的新型高精度BulkMetal箔电阻——RS92N、RS92NA和AN。在-55℃～+155℃、+20℃参考温度条件下，器件的
日前，VishayIntertechnology,Inc.发布了4款具有涂层封装、高性价比的高精度BulkMetal电阻，包括两款箔电阻——VSH、VSC和两款Z箔电阻——VSHZ、VSCZ。Vishay独特的制造工艺使新型电阻实现了极高的精度，1
Vishay推出采用Bulk Metal箔技术制造的多款表面贴装电阻
VishayIntertechnology,Inc.目前推出多款高端应用的BulkMetal箔表面贴装电阻，以实现端领域对器件高可靠性和高稳定性的严苛要求。这次发布的器件中，包括新改进的VSMP(0805至2512)系列、及VCS1625Z和C
分类：新品快报 时间：2009/2/13 阅读：1051 关键词：Vishay
Vishay将RNC90Z系列的Bulk Metal Z箔电阻大幅性能提升
VishayIntertechnology日前宣布将RNC90Z系列通过军品级检验的BulkMetalZ箔可靠性电阻的容差降至±0.005%，在满足高可靠性的基础上大幅提升性能。作为R级可靠性电阻，Vishay的RNC90Z符合规定军事和航空应用长
分类：名企新闻 时间：2009/2/9 阅读：925 关键词：Vishay
Transmeta办事处公司名：全美达股份有限公司-台湾地址：台北市复兴北路167号7楼之1电话：886-2-27180999传真：886-2-25463686联系人：Sales网址：http://www.transmeta.com公司名：全美达股
时间：2008/10/30 阅读：235
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出改进的S系列高精度BulkMetal箔(BMF)电阻，这些电阻在-55°C～+125°C（+25°C参考点）时具有±2ppm/°C的军用级典型TCR、±0.005%的容差，以及超过1
海力士开发16GB的DDR3 2-Rank R-DIMM，使用MetaRAM的技术增大容量
韩国海力士半导体（HynixSemiconductor）开发成功了存储容量16GB的DDR32-RankRegisteredDIMM（R-DIMM）“HMT32GR7AER4C-GD”和8GB的DDR32-RankR-DIMM“HMT31GR7AE
分类：名企新闻 时间：2008/8/28 阅读：514 关键词：DDR3
