日前，VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布，公司已扩展了其298D系列MicroTan固体钽芯片电容器，新器件在两个小型模塑封装尺寸中具有业界的电容电压额定值。通过充分利用已获专利的MAP(多阵列封装)装配技术，Vi
日前，VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布，公司已扩展了其298D系列MicroTan固体钽芯片电容器，新器件在两个小型模塑封装尺寸中具有业界的电容电压额定值。通过充分利用已获专利的MAP(多阵列封装)装配技术，Vi
分类：新品快报 时间：2007/8/10 阅读：2339 关键词：Vishay
日前，VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布推出在市场上所有类似器件中具有电容的新型液体钽高能电容器。HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计，可在高能应用中提高可靠性及性能。Vishay的HE3专门针对高可靠性
日前，VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布推出业界首款可防止表面电弧放电的表面贴装X7R多层陶瓷芯片电容器(MLCC)。这些新型器件在高压额定值内提供了电容以及更高的电容击穿电压。新型VJ1206、VJ1210、VJ
日前，VishayIntertechnology宣布推出小型4线ESD保护阵列，该器件可保护两个高速USB端口或四个其它高频信号线，以免它们受到高达15kV的瞬态电压信号的损坏。该新型阵列采用占位面积为1.6mm×1.6mm且具有0.6mm(V
Vishay推出两种新系列4Ω四通道SPST CMOS模拟开关
日前，VishayIntertechnology宣布推出两种新系列四通道SPSTCMOS模拟开关，这些器件将高开关速度与高信号带宽进行了完美结合，可用于众多开关应用，其中包括音频、视频、数据及电源。VishaySiliconixDG451及DG45
分类：新品快报 时间：2007/7/27 阅读：1323 关键词：Vishay
日前，VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布推出在市场上所有类似器件中具有电容的新型液体钽高能电容器。HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计，可在高能应用中提高可靠性及性能。Vishay的HE3专门针对高可靠性
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出两种新系列四通道SPSTCMOS模拟开关，这些器件将高开关速度与高信号带宽进行了完美结合，可用于众多开关应用，其中包括音频、视频、数据及电源。VishaySiliconixDG451
Vishay固体钽电容芯片ESR值为0.015Ω～0.17Ω
日前，VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布推出新型TANTAMOUNTHi-RelCOTST97系列固体钽电容器芯片，这些电容器可提供高可靠性筛选及浪涌电流测试选择，并且具有极低的ESR值。这些新型T97电容器采用双阳极
分类：新品快报 时间：2007/7/23 阅读：228 关键词：Vishay
Vishay新型RFWaves多信道收发器数据速率高达1Mbps
日前，VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布推出新型2.4GHzISM收发器ICRFW-NC。尤其面向对成本高度敏感的RF应用的该器件具有低功耗特点，且可快速轻松地整合到终端产品中。RFW-NC的其它功能包括高达1Mbps
分类：新品快报 时间：2007/7/20 阅读：1147 关键词：Vishay
Vishay推出在市场上所有类似器件中具有电容的新型液体钽高能电容器。HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计，可在高能应用中提高可靠性及性能。Vishay的HE3专门针对高可靠性航空电子及军用设备中的能量存储及脉冲功率应用而进行了优化，
Vishay新型PowerPAK ChipFET延长便携式设备工作时间
日前，为不断满足对高热效功率半导体不断增长的需求，VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布推出七款采用新型PowerPAKChipFET封装的p通道功率MOSFET，该封装可提供热性能，其占位面积仅为3mm×1.8mm。
分类：新品快报 时间：2007/7/19 阅读：849 关键词：Vishay
日前，VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布推出在市场上所有类似器件中具有电容的新型液体钽高能电容器。HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计，可在高能应用中提高可靠性及性能。Vishay的HE3专门针对高可靠性
分类：新品快报 时间：2007/7/19 阅读：151 关键词：Vishay
Vishay新型PowerPAK ChipFET功率MOSFET功耗为3W
日前，为不断满足对高热效功率半导体不断增长的需求，VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布推出七款采用新型PowerPAKChipFET封装的p通道功率MOSFET，该封装可提供热性能，其占位面积仅为3mm×1.8mm。
Vishay出两种新系列4Ω四通道SPST CMOS模拟开关
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出两种新系列四通道SPSTCMOS模拟开关，这些器件将高开关速度与高信号带宽进行了完美结合，可用于众多开关应用，其中包括音频、视频、数据及电源。VishaySiliconixDG451
分类：新品快报 时间：2007/7/17 阅读：294 关键词：Vishay
