砷化镓

砷化镓资讯

美研发砷化镓晶片批量生产技术

新一期英国《自然》杂志报告说,美国研究人员研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术,克服了成本上的瓶颈,从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业。美国伊利诺伊大学等机构研究人员报告说,他们...

分类:业界要闻 时间:2010/5/26 阅读:1144

砷化镓09年市场缩减5%,预计2010年有望回温

砷化镓(GaAs)半导体市场营收预计在2009年达到35亿美元规模,较08年缩减5%。市场研究机构StrategyAnalytics表示,该市场表现未如预期的原因,主要是全球经济衰退所致;而09年砷化镓市场表现与07年状况大致相同。不过Strate

分类:业界要闻 时间:2009/9/16 阅读:660

Strategy Analytics:砷化镓和磷化铟支撑光纤网络高增长模拟芯片市场规模将增长至4.92亿美元

StrategyAnalytics发布研究报告“光纤模拟芯片市场机会:2008-2013”。化合物半导体正在越来越多地被应用在更高价值、更高成长性的细分产品市场上。在不断增长的光纤模拟芯片市场,硅(Silicon),硅化锗(SiGe),砷化镓(

分类:名企新闻 时间:2009/8/11 阅读:1401

砷化镓外延衬底市场规模将超过4亿美元

StrategyAnalytics发布年度预测报告“半绝缘砷化镓(SIGaAs)外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结,2008年半绝缘砷化镓(SIGaAs)外延衬底市场年增长率达到22%,但StrategyAnalytics预计200

分类:名企新闻 时间:2009/8/7 阅读:174

Strategy Analytics: 砷化镓外延衬底市场规模将超过4亿美元

StrategyAnalytics发布年度预测报告“半绝缘砷化镓(SIGaAs)外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结,2008年半绝缘砷化镓(SIGaAs)外延衬底市场年增长率达到22%,但StrategyAnalytics预计200

分类:行业趋势 时间:2009/8/4 阅读:2226

新一代砷化镓太阳能电池效率突破50%

IBM研究人员不久前展示如何通过重复利用电脑的冷却液可以提高系统的总效率。现在他们又将这一原理用到了太阳能电池,使得其整体效率可以高达50%。在今年早些时候,IBM研究人员已通过将阳光聚集到光电池提高砷化镓太阳能电池的效率。在实...

分类:业界要闻 时间:2009/7/9 阅读:165 关键词:太阳能

FSI国际再次收到一家砷化镓代工厂对POLARIS® 光刻系统的订单

全球的微电子制造表面处理和显微光刻设备供应商FSI国际有限公司,日前宣布再次收到POLARIS?显微光刻系统订单,该订单来自一家的砷化镓(GaAs)器件代工厂。这一订单代表了GaAs客户数量不断增长的趋势,他们选用POLARIS,缘于该系统

分类:名企新闻 时间:2008/11/26 阅读:200

FSI接获砷化镓组件制造商POLARIS微影系统追加订单

全球微电子制造的表面处理与清洗设备供货商FSIInternational公司日前宣布接获一家主要砷化镓(GaAs)组件制造厂商追加POLARISMicrolithographySystem微影系统的订单,显示POLARIS系统杰出的效能表现与弹性能

分类:名企新闻 时间:2008/11/25 阅读:716 关键词:制造商

砷化镓聚光太阳能电池的规模生产

近年来,多晶硅原材料的紧缺,已制约了单晶硅或多晶硅的硅光电池的规模生产。高倍聚光电池及系统的规模应用,将缓解对于硅多晶原料的依赖。技术可行的适合于聚光用的太阳能电池有两种:单晶硅的背接触电池和砷化镓多结电池,以后者的光转...

分类:名企新闻 时间:2008/8/7 阅读:904 关键词:太阳能

具有砷化镓性能的CMOS射频开关(英飞凌)

英飞凌科技股份公司宣布该公司正在批量供应款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关,这种射频开关具有与采用砷化镓(GaAs)工艺制成的射频开关相同的性能——这是一项前所未有的技术突破。迄今为止,CMOS射频开关只能采用专用的、价格昂...

分类:新品快报 时间:2008/3/3 阅读:485 关键词:CMOS射频开关英飞凌

英飞凌交付首款具有砷化镓性能的硅基CMOS射频开关BGS12A

英飞凌科技股份公司(Infineon)近日宣布,该公司正在批量供应款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关,这种射频开关具有与采用砷化镓(GaAs)工艺制成的射频开关相同的性能。迄今为止,CMOS射频开关只能采用专用的、价格昂贵的蓝宝石晶片制

分类:新品快报 时间:2008/3/3 阅读:626 关键词:CMOS射频开关

英飞凌交付业界首款具有砷化镓性能的CMOS射频开关

英飞凌科技股份公司(FSE/NYSE:IFX)近日宣布,该公司正在批量供应款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关,这种射频开关具有与采用砷化镓(GaAs)工艺制成的射频开关相同的性能——这是一项前所未有的技术突破。迄今为止,CMOS射频

分类:新品快报 时间:2008/2/29 阅读:423 关键词:CMOS射频开关

全新砷化镓HBT磊芯片扩产态度持续积极,将成为其08年营收成长动能

全新内部评估,展望12月销货状况,受惠于砷化镓HBT磊芯片在功率放大器(PA)需求强劲带动下,整体出货仍明显提升,以致于尽管四元LED已步入销货淡季,12月份营收仍将维持约9千万元之水平,同时HBT磊芯片营收比重亦将因此相对提高。另就08年...

分类:业界要闻 时间:2007/12/29 阅读:186

4英寸砷化镓化合物半导体芯片生产线落户南京

由南京国芯半导体公司投资2980万美元的4英寸砷化镓化合物半导体芯片工业生产线,19日在南京高新区竣工。这是我国首条砷化镓化合物半导体芯片工业生产线,年生产能力为4.2万片。砷化镓化合物半导体材料是国家重点支持技术。砷化镓化合物半导...

分类:名企新闻 时间:2007/12/29 阅读:831 关键词:半导体生产线

NEC电子推出业界最小的小型薄型砷化镓(GaAs)开关IC

NEC电子日前完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备(terminal)的小型薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC--“μPG2176T5N”的开发,并将于即日起开始发售该产品的样品。新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系统

分类:新品快报 时间:2007/8/31 阅读:172 关键词:NEC