Synopsys发布DesignWare DDR4存储器接口IP
新思科技公司(Synopsys,Inc)日前宣布：其DesignWareDDR接口IP产品组合已经实现扩充，以使其包括了对基于新兴的DDR4标准的下一代SDRAM。通过在一个单内核中就实现对DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，Design
6月30日消息，据外媒报道，据全球的电子制造领域市场研究机构iSuppli表示，DDR3模组仍是2011年的主导DRAM技术，而且在更快的下一代版本问世之前，仍有几年好光景。DDR3DRAM约占目前DRAM市场的85％至90％，至2013年将成
分类：行业趋势 时间：2011/6/30 阅读：828
海力士半导体(Hynix)表示，已开发出符合国际半导体标准会议机构(JEDEC)规格的30纳米2Gb次世代DDR4DRAM。新开发的DDR4DRAM为业界首创在1.2V低电压下，提供2,400Mbps超高速信息传输速度，较DDR31,333Mbps
分类：新品快报 时间：2011/4/7 阅读：240 关键词：DRAM
日本尔必达与台湾瑞晶公司近日发表联合声明称两家公司已经成功完成了4F2架构设计1Gbit密度DDR3DRAM芯片的试产，这次试产是由瑞晶的研发中心主导的。瑞晶的研发中心自去年开始正式运作，他们一直在和尔必达公司一起研发4F2DRAM芯片产品。...
1月5消息，据国外媒体报道，三星电子星期二称，它已经开发出了一种新的计算机内存模块，读写数据的速度是上一代内存芯片的一倍。三星电子在声明中称，它将在2012年开始使用30纳米级的技术生产这种新的DDR4DRAM内存模块。目前DRAM内存行业...
分类：业界要闻 时间：2011/1/5 阅读：1657
三星电子今天宣布，已经完成了历史上款DDR4DRAM规格内存条的开发，并采用30nm级工艺制造了首批样品。时至今日，DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz
分类：新品快报 时间：2011/1/4 阅读：204 关键词：DRAM
据国外媒体报导，SuperTalent近日发布了全球首款4GB容量的DDR31600MHzSO-DIMM笔记本内存条。目前的PC桌面平台早已有DDR32000MHz或以上的内存产品，不过笔记本平台却远不如桌面平台那么“犀利”。目前高端的笔记本产品一
据报道，三星计划在今年四季度开始量产基于36nm制程工艺的2GbDDR3芯片，在工艺升级上继续日美竞争对手。随着量产时间表的设定，三星明年使用该工艺的DRAM出货量比重将超过50%。和三星目前的主要46nm处理工艺相比，36nm意味着30%
分类：新品快报 时间：2010/9/21 阅读：1096 关键词：DDR3
尔必达发布采用40nm工艺制造的2Gbit LPDDR2型DRAM
尔必达发布了采用40nm工艺制造的2GbitLPDDR2型DRAM“DDR2MobileRAM”。该产品是面向智能手机及平板电脑市场开发的。据尔必达介绍，该产品将成为在广岛工厂40nm工艺生产线强化产能后的主力产品。尔必达009年9月发布了采用50
分类：新品快报 时间：2010/8/2 阅读：415 关键词：尔必达
三星电子宣布，该公司已经在业内家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO-DIMM笔记本内存条，性能1.6Gbps，
Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2内存芯片产品开发完成
韩国内存厂商Hynix日前宣布他们已经完成了2Gb密度低功耗DDR2内存芯片产品的开发，这款产品将主要面向移动设备，可在智能手机，平板电脑等移动设备上使用，Hynix并称这种芯片将于今年上半年开始投入量产。这款内存芯片产品的数据传输率可...
分类：名企新闻 时间：2010/1/14 阅读：473 关键词：DDR2
Hynix40nm 2Gb DDR3内存芯片通过Intel验证
韩国Hynix公司宣布其40nm制程2GbDDR3内存芯片产品通过了Intel的认证,Hynix并称将开始批量生产这种芯片产品,另外他们还宣称面向服务器应用的RegisteredDIMM产品的验证工作也将于年底前顺利完成.这次通过验证的Hynix产
据报道，海力士今天宣布了基于54nm工艺的第二代1GbDDR3内存芯片，新一代1GbDDR3芯片分为256MbX4和128MbX8两种，并将会在本月开始投入量产。此次宣布的1GbDDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V电压，但功耗降低了30%，号称
分类：名企新闻 时间：2009/10/13 阅读：1114 关键词：DDR3
爱特梅尔为400MHz ARM9嵌入式微控制器提供DDR2标准配置
基于ARM9之嵌入式微控制器SAM9G45提供带有片上物理层的480MbpsEHCI兼容HS-USB、以太网和用于高速连接之SDIO，以及实现智能用户界面之LCD和触控功能爱特梅尔公司(AtmelCorporation)宣布推出400MHzARM9
分类：新品快报 时间：2009/8/5 阅读：512 关键词：DDR2
爱特梅尔为具高速USB功能之400MHz ARM9嵌入式微控制器提供DDR2标准配置
基于ARM9之嵌入式微控制器SAM9G45提供带有片上物理层的480MbpsEHCI兼容HS-USB、以太网和用于高速连接之SDIO，以及实现智能用户界面之LCD和触控功能爱特梅尔公司(Atmel®Corporation)宣布推出400MH
分类：名企新闻 时间：2009/8/4 阅读：455 关键词：DDR2
