据国外媒体报导，SuperTalent近日发布了全球首款4GB容量的DDR31600MHzSO-DIMM笔记本内存条。目前的PC桌面平台早已有DDR32000MHz或以上的内存产品，不过笔记本平台却远不如桌面平台那么“犀利”。目前高端的笔记本产品一
据报道，三星计划在今年四季度开始量产基于36nm制程工艺的2GbDDR3芯片，在工艺升级上继续日美竞争对手。随着量产时间表的设定，三星明年使用该工艺的DRAM出货量比重将超过50%。和三星目前的主要46nm处理工艺相比，36nm意味着30%
分类：新品快报 时间：2010/9/21 阅读：1092 关键词：DDR3
尔必达发布采用40nm工艺制造的2Gbit LPDDR2型DRAM
尔必达发布了采用40nm工艺制造的2GbitLPDDR2型DRAM“DDR2MobileRAM”。该产品是面向智能手机及平板电脑市场开发的。据尔必达介绍，该产品将成为在广岛工厂40nm工艺生产线强化产能后的主力产品。尔必达009年9月发布了采用50
分类：新品快报 时间：2010/8/2 阅读：406 关键词：尔必达
三星电子宣布，该公司已经在业内家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO-DIMM笔记本内存条，性能1.6Gbps，
Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2内存芯片产品开发完成
韩国内存厂商Hynix日前宣布他们已经完成了2Gb密度低功耗DDR2内存芯片产品的开发，这款产品将主要面向移动设备，可在智能手机，平板电脑等移动设备上使用，Hynix并称这种芯片将于今年上半年开始投入量产。这款内存芯片产品的数据传输率可...
分类：名企新闻 时间：2010/1/14 阅读：469 关键词：DDR2
Hynix40nm 2Gb DDR3内存芯片通过Intel验证
韩国Hynix公司宣布其40nm制程2GbDDR3内存芯片产品通过了Intel的认证,Hynix并称将开始批量生产这种芯片产品,另外他们还宣称面向服务器应用的RegisteredDIMM产品的验证工作也将于年底前顺利完成.这次通过验证的Hynix产
据报道，海力士今天宣布了基于54nm工艺的第二代1GbDDR3内存芯片，新一代1GbDDR3芯片分为256MbX4和128MbX8两种，并将会在本月开始投入量产。此次宣布的1GbDDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V电压，但功耗降低了30%，号称
分类：名企新闻 时间：2009/10/13 阅读：1112 关键词：DDR3
爱特梅尔为400MHz ARM9嵌入式微控制器提供DDR2标准配置
基于ARM9之嵌入式微控制器SAM9G45提供带有片上物理层的480MbpsEHCI兼容HS-USB、以太网和用于高速连接之SDIO，以及实现智能用户界面之LCD和触控功能爱特梅尔公司(AtmelCorporation)宣布推出400MHzARM9
分类：新品快报 时间：2009/8/5 阅读：507 关键词：DDR2
爱特梅尔为具高速USB功能之400MHz ARM9嵌入式微控制器提供DDR2标准配置
基于ARM9之嵌入式微控制器SAM9G45提供带有片上物理层的480MbpsEHCI兼容HS-USB、以太网和用于高速连接之SDIO，以及实现智能用户界面之LCD和触控功能爱特梅尔公司(Atmel®Corporation)宣布推出400MH
分类：名企新闻 时间：2009/8/4 阅读：449 关键词：DDR2
7月21日三星电子宣布已经开始量产40纳米2GbDDR3Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。据悉，继2008年9月三星电子在业内首次量产50纳米DDR3Dram之后，该公司又于2009
据比特网报道，继05年率先开发出60纳米内存、06年开发出50纳米内存后，三星电子日前研发出了世界首款40纳米1GDDR2动态内存(1纳米等于十亿分之一米)，今年第3季度将实现量产。据了解，40纳米内存与目前普遍使用的50、60纳米内存相比，芯片...
分类：名企新闻 时间：2009/2/9 阅读：1199
安森美适合DDR3应用的集成EEPROM的温度传感器CAT34TS02
全球的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串行存在检测(SPD)电可擦
分类：新品快报 时间：2008/12/9 阅读：262 关键词：温度传感器
安森美为DDR3存储器模块应用推出温度传感器CAT34TS02
安森美半导体(ONSemiconductor)推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串行存在检测(SPD)电可擦除可编
ST推出多路输出稳压器PM6641,适用于所有芯片组和DDR2/3内存条
意法半导体（ST）推出一款高集成度的多路输出稳压器PM6641，新产品在单一产品内整合了多媒体产品芯片组和DDR2/3内存条所用的全部工作电压和参考电压源。在7x7mm的QFN-48封装内，集成三个可编程开关稳压器、一个2A线性低压降稳压器（LDO
分类：新品快报 时间：2008/5/8 阅读：398 关键词：稳压器
宇瞻科技推出4GB DDR2 1066MHz双通道超频内存模组
宇瞻科技(Apacer)近日推出高频率、大容量、低时序4GB(2GB×2)DDR2-1066MHz超频内存模组产品，首度让单条2GB容量的内存模组，突破DDR21066的频率，同时保留5-5-5-15的超低时序。宇瞻科技将单条2GB内存模组频率拉到
分类：新品快报 时间：2008/1/14 阅读：866 关键词：DDR2
