7月21日三星电子宣布已经开始量产40纳米2GbDDR3Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。据悉，继2008年9月三星电子在业内首次量产50纳米DDR3Dram之后，该公司又于2009
据比特网报道，继05年率先开发出60纳米内存、06年开发出50纳米内存后，三星电子日前研发出了世界首款40纳米1GDDR2动态内存(1纳米等于十亿分之一米)，今年第3季度将实现量产。据了解，40纳米内存与目前普遍使用的50、60纳米内存相比，芯片...
分类：名企新闻 时间：2009/2/9 阅读：1204
安森美适合DDR3应用的集成EEPROM的温度传感器CAT34TS02
全球的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串行存在检测(SPD)电可擦
分类：新品快报 时间：2008/12/9 阅读：265 关键词：温度传感器
安森美为DDR3存储器模块应用推出温度传感器CAT34TS02
安森美半导体(ONSemiconductor)推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串行存在检测(SPD)电可擦除可编
ST推出多路输出稳压器PM6641,适用于所有芯片组和DDR2/3内存条
意法半导体（ST）推出一款高集成度的多路输出稳压器PM6641，新产品在单一产品内整合了多媒体产品芯片组和DDR2/3内存条所用的全部工作电压和参考电压源。在7x7mm的QFN-48封装内，集成三个可编程开关稳压器、一个2A线性低压降稳压器（LDO
分类：新品快报 时间：2008/5/8 阅读：401 关键词：稳压器
宇瞻科技推出4GB DDR2 1066MHz双通道超频内存模组
宇瞻科技(Apacer)近日推出高频率、大容量、低时序4GB(2GB×2)DDR2-1066MHz超频内存模组产品，首度让单条2GB容量的内存模组，突破DDR21066的频率，同时保留5-5-5-15的超低时序。宇瞻科技将单条2GB内存模组频率拉到
分类：新品快报 时间：2008/1/14 阅读：868 关键词：DDR2
虽然一度有传闻说华硕不会跟进IntelX48芯片组，但现在华硕的两款X48主板已经确定。由于X48定位高端发烧友，华硕的主板自然也划归为玩家国度R.O.G.系列，并有DDR2和DDR3两个版本。华硕X48主板的DDR2版本称为“RampageFor
分类：名企新闻 时间：2007/12/20 阅读：716 关键词：DDR2
戴尔Inspiron1420系列拥有四种配置，其中顶配的戴尔Inspiron1420（Q511203N）笔记本采用显存为128MB的GDDR3独显，相比DDR2独显拥有更高的频率、更强的性能。目前这款笔记本在戴尔中国官网上的订购价格为7999元，并
分类：名企新闻 时间：2007/12/18 阅读：358
OCZ近日专为IntelX48芯片组推出了超高频率DDR3内存产品，支持Intel的ExtremeMemorymodule（XMP）技术，可在Intel旗舰芯片组主板上实现自动超频。该款内存名为DDR3PC3-14400IntelXMPRead
分类：新品快报 时间：2007/12/17 阅读：251 关键词：DDR3
由于X48芯片组将会在2008年1月推出，这个时间距离我们已经很近了，为了配合X48芯片组的到来，OCZ推出了新款的TitaniumDDR3系列内存。新款TitaniumDDR3内存工作频率为1800MHz，拥有超低的内存时序延迟7-7-7，工作电
分类：行业趋势 时间：2007/12/14 阅读：896 关键词：DDR3
海力士半导体（HynixSemiconductor）宣布，采用50纳米级制程的1GbDDR2DRAM芯片已通过英特尔验证，这也标志着DRAM行业芯片制程首次突破60nm。这款基于54nm工艺的芯片将使海力士的生产效率比60nm级制程要高50%，同时
近日，处理器宣布进入45nm级别，开创一个新的处理器技术革命时代。此时内存业也有好消息传出，由于得到Intel的认证许可，Hynix宣布正式推出54nm工艺1GbDDR2DRAM内存。这也是内存业内首次进入50nm工艺技术的级别。更先进的工艺制程将
分类：业界要闻 时间：2007/11/23 阅读：1219 关键词：DDR
镁光公司今天宣布了业界首款2GbDDR3DRAM颗粒研发成功，应用该颗粒，内存厂商可以制造出8GB或16GB的服务器内存条，或4GB容量的台式机、笔记本内存。目前，镁光2GbDDR3颗粒已经进入样品阶段，商用投产预计在2008年季度完成。该颗粒
分类：名企新闻 时间：2007/11/6 阅读：687 关键词：DDR3
赛灵思公司(Xilinx)日前宣布为其经过生产验证的低成本90nmSpartan-3A和Spartan-3ANFPGA提供400MbpsDDR2SDRAM接口(DDR2-400)支持。设计人员可以免费下载经硬件验证过的、可快速实现400MbpsDD
分类：新品快报 时间：2007/8/24 阅读：797 关键词：DDR2
赛灵思为SPARTAN-3系列提供DDR2-400接口支持和经硬件验证的参考设计
可编程解决方案供应商赛灵思公司(Xilinx,Inc.)日前宣布为其经过生产验证的低成本90nmSpartan-3A和Spartan-3ANFPGA提供400MbpsDDR2SDRAM接口(DDR2-400)支持。设计人员可以免费下载经硬件验证过的
分类：新品快报 时间：2007/8/24 阅读：763 关键词：DDR2
