MOCVD，也称为金属有机气相外延 (MOVPE)，是 CVD 的一个子集。在 CVD 中，化学反应在所提供的前体的气相中发生，并导致沉积在基材上的固体材料的形成。金属有机化合物用于提供III族元素，在本例中为Ga。需要外部能量（热）来裂解前体。Ma...
基础电子 时间：2024/4/25 阅读：368
近十几年来，为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED及激光二级管LD的应用无不说明了III-V族元素所蕴藏的潜能。在目前商品化LED之材料及其外延技术中，红色及绿色...
基础电子 时间：2014/12/31 阅读：1014
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。良品的外延片就要开始做电极（P极，N极），接下来就用激光切割外延片，然...
设计应用 时间：2014/11/29 阅读：872
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。良品的外延片就要开始做电极（P极，N极），接下来就用激光切割外延片，然...
基础电子 时间：2012/4/9 阅读：1890
1．量子阱结构设计 多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收区中所采用的异质结构为 GaAs/Ga1-xAlxAs材料系的多量子阱，组分x取为0.3左右。阱宽的选择首先应考虑使激子吸收峰处于工作波长附近 。我们所...
基础电子 时间：2008/12/3 阅读：2408
对于大截面的SOl光波导来说，顶层硅的厚度不一定能满足要求。这时候就需要外延生长一定厚度的硅。一般的外延技术采用化学气相沉积CVD（ChemicalVaporDeposition）来实现。CVD是一种利用气体混合物发生反应，从而在硅表面淀积一层固态
基础电子 时间：2008/12/3 阅读：1288
探讨ＬＥＤ外延片的成长工艺，早期在小积体电路时代，每一个６吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型ＶＬＳＩ，每一个８吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿，但却是所有电子工业的基...
基础电子 时间：2008/9/4 阅读：2412
LED外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，Si）上，气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。外延片的生产制作过...
基础电子 时间：2008/8/14 阅读：2073
目前所有商用蓝紫外光激光二极管(laser diode)都是以金氧化学气相沉积(MOCVD)法制造的；去年初，夏普(Sharp)公司在英国实验室的Jon Heffernan等人首次以分子束外延法，制作出波长405 nm激光器二极管，然而最初这些组件仅能以脉冲方式工作...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1339
（北京市光电子技术实验室，北京工业大学电控学院，北京 100022）摘 要：研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系，比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响，并研究了抛光过程...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：4505
