半导体硅片的终端应用涵盖智能手机、便携设备、物联网、汽车电子、人工智能等众多行业。90%以上的芯片需要使用半导体硅片制造。半导体硅片企业的下游客户是芯片制造企业，...
分类：行业趋势 时间：2022/12/22 阅读：824 关键词：半导体硅片
近日，韩国GaN技术开发商Soft-Epi宣布正在出货MicroLED用红色GaN外延片。 而在5月初，Soft-Epi才刚宣布成功开发并发布了韩国首个可提升MicroLED性能的红色GaN外延片。可以...
分类：名企新闻 时间：2022/6/2 阅读：1989
由芜湖市人民政府和SEMI中国共同主办的“化合物半导体制造技术论坛”在安徽省芜湖市成功举办，晶湛半导体应邀出席并发表题为“用于新型GaN功率器件的外延技术进展”的主旨...
分类：名企新闻 时间：2021/9/26 阅读：1694
走进位于苏州工业园区金鸡湖大道与星华街路口的这座“苏州纳米城”，只见简约的白墙搭配沉稳的灰色点缀，不禁惊讶于高科技新兴产业与古典建筑文化融合的巧妙。高新技术企业...
分类：名企新闻 时间：2021/8/31 阅读：2337
昨（9）日，国星光电发布公告称，结合目前小间距及MiniLED显示市场的增长向好的态势，以及公司自身封装产能受限、产品供不应求的实际情况，计划投资10亿元进行新一代LED封装器件及配套外延芯片的扩产。 投资扩产项目计划分两期进行，...
突破6英寸外延片两大工艺难点 消费级VSCEL”中国芯”迎难而上
今年以来，随着安卓阵营的小米、Oppo、Vivo以及华为等手机大厂陆续推出搭载3D人脸识别功能的多款机型，3D Sensing俨然已成为高端智能手机的标配。受益于此，作为3D Sensing...
重磅！VCSEL外延片被英美实施出口管制，国内产业链急需自主化
“美国、英国的VCSEL外延片对中国施行出口管制，仅仅有小批量研发用，或者20W以下、民用已定义好芯片及切割的产品可以对中国出口。”一位国内3D感测产业链人士对集微网记者...
9月10日，重庆市大足区人民政府与重庆捷舜科技有限公司举行“聚力成外延片和芯片产线项目”签约仪式。该项目落户大足高新区，总投资50亿元，占地500亩，5年总产值100亿元，税收13.1亿元。 据大足区相关负责人介绍，该项目由重庆市台...
7月份开始，PCB（印制电路板）接连涨价，LED显示屏也“水涨船高”。业内人士指出，下半年是LED显示屏行业的传统旺季，下游巨大的市场需求即将释放，尤其是小间距显示屏应用的拓展有望迎来LED行业新一轮的爆发。 LED行业作为半导体与...
据厦门日报报道 7月份开始，PCB（印制电路板）接连涨价，LED显示屏也“水涨船高”。业内人士指出，下半年是LED显示屏行业的传统旺季，下游巨大的市场需求即将释放，尤其是小间距显示屏应用的拓展有望迎来LED行业新一轮的爆发。 LED...
MOCVD，也称为金属有机气相外延 (MOVPE)，是 CVD 的一个子集。在 CVD 中，化学反应在所提供的前体的气相中发生，并导致沉积在基材上的固体材料的形成。金属有机化合物用于提供III族元素，在本例中为Ga。需要外部能量（热）来裂解前体。Ma...
基础电子 时间：2024/4/25 阅读：433
近十几年来，为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED及激光二级管LD的应用无不说明了III-V族元素所蕴藏的潜能。在目前商品化LED之材料及其外延技术中，红色及绿色...
基础电子 时间：2014/12/31 阅读：1022
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。良品的外延片就要开始做电极（P极，N极），接下来就用激光切割外延片，然...
设计应用 时间：2014/11/29 阅读：882
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。良品的外延片就要开始做电极（P极，N极），接下来就用激光切割外延片，然...
基础电子 时间：2012/4/9 阅读：1912
1．量子阱结构设计 多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收区中所采用的异质结构为 GaAs/Ga1-xAlxAs材料系的多量子阱，组分x取为0.3左右。阱宽的选择首先应考虑使激子吸收峰处于工作波长附近 。我们所...
基础电子 时间：2008/12/3 阅读：2436
对于大截面的SOl光波导来说，顶层硅的厚度不一定能满足要求。这时候就需要外延生长一定厚度的硅。一般的外延技术采用化学气相沉积CVD（ChemicalVaporDeposition）来实现。CVD是一种利用气体混合物发生反应，从而在硅表面淀积一层固态
基础电子 时间：2008/12/3 阅读：1302
探讨ＬＥＤ外延片的成长工艺，早期在小积体电路时代，每一个６吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型ＶＬＳＩ，每一个８吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿，但却是所有电子工业的基...
基础电子 时间：2008/9/4 阅读：2428
LED外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，Si）上，气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。外延片的生产制作过...
基础电子 时间：2008/8/14 阅读：2087
目前所有商用蓝紫外光激光二极管(laser diode)都是以金氧化学气相沉积(MOCVD)法制造的；去年初，夏普(Sharp)公司在英国实验室的Jon Heffernan等人首次以分子束外延法，制作出波长405 nm激光器二极管，然而最初这些组件仅能以脉冲方式工作...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1359
（北京市光电子技术实验室，北京工业大学电控学院，北京 100022）摘 要：研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系，比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响，并研究了抛光过程...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：4544
