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浅析大功率IGBT芯片的技术现状与特点
导读:本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发,系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点,从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术,并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的...
基础电子 时间:2014/3/5 阅读:3447