CISSOID - SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局
Yole Development 的市场调查 表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用的需求一直推动着结温升高，目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件（如SiC）出现以及日趋成熟和全面商业化普及，其独特的耐高温性能正在加速推动结温从目前...
基础电子 时间：2021/1/20 阅读：430
进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作，沿着下述方向，开发与开关电源相关的产品和技术。碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是禁带宽，工作温...
基础电子 时间：2008/10/6 阅读：2114
在过去的20多年，出现了一些新功率半导体开关器件和功率模块，在如功率MOS-FET，绝缘栅双极晶体管IGBT，碳化硅（SiC）器件等领域都有 了不同程度的新进展（以下未特别注明的MOSFET、IGBT或IGCT等，均是指用硅晶片制成的）。 1）功率MO...
基础电子 时间：2008/10/6 阅读：3344
飞利浦电子公司（Philips）今天宣布将提供其功率半导体器件的热模型，以帮助客户精确地预测其器件的热性能，所需时间仅占构建和测试原型所需时间的一小部分。这使得客户能够更简单地解决复杂的设计问题并优化其设计的热管理。对于诸如笔...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1713
