Si MOSFET 正常工作的驱动电路。 关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明:除少数例外,这些都不适合任何系列生产。 基本上,驱动电路必须对栅极输入电容进行充电...
设计应用 时间:2024/7/16 阅读:234
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行,但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。G...
设计应用 时间:2023/12/28 阅读:1264
帮助我们了解哪种功率晶体管技术最适合您的功率级设计。重申一下,这些是最大工作电压、最大工作电流和最大开关频率。 这些和其他数据表参数为设计人员提供了做出深思熟虑的设计决策所需的技术信息。但设计人员通常还想知道这些设备在...
基础电子 时间:2023/7/5 阅读:901
EPC新推350 V氮化镓功率晶体管,比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计,在极小的芯片级封装中,实现350 V、80 mΩzui大RDS(on)和26 A 峰值电流,是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和LED 照明的理想器件。 宜普电源转换公司(EPC)...
新品速递 时间:2022/4/11 阅读:665
意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新 近新增多款产品,该产品家族有三个不同的产品系列,均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。 STPOWER LDMOS的产品特色是高能效和低热阻,封装芯片可处理高射频功率,兼备短...
新品速递 时间:2021/8/13 阅读:366
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动...
设计应用 时间:2019/11/8 阅读:430
宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN®)功率晶体管
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为25 m?及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。 要求更高的效率及更高的功率密度的应用现在不需要选择小...
新品速递 时间:2018/9/14 阅读:1070
导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200MHz~1400MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少所需的组件,降低系统成本,提高可靠性。英飞凌新型功率...
新品速递 时间:2014/4/11 阅读:1463
ST新增SD2931-12MR和SD4933MR两款防潮RF功率晶体管
导读:近日,意法半导体(以下简称“ST”)新增两款防潮RF功率晶体管SD2931-12MR和SD4933MR.此两款新器件是在以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性的情况下而推出,并且成为了高成本效益的功率射频解决方案。近日,意法半导体(...
新品速递 时间:2013/12/30 阅读:2612
导读:日前,飞思卡尔半导体发布了AFT27S006N和AFT27S010N两款全新的射频功率晶体管,此两款新器件的推出在满足效率提升、峰值功率和信号带宽需求的同时,还能应对降低成本的持续压力,完美的成为Airfast射频功率解决方案。大功率射频(R
新品速递 时间:2013/12/12 阅读:2107